英特爾(Intel)所主導(dǎo)ONFI(Open NAND Flash Interface)聯(lián)盟，遲遲等不到NAND Flash市場老大哥三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)點(diǎn)頭加入，如今希望更渺茫，東芝內(nèi)部正開發(fā)LBA(Logical Block Addressing)介面規(guī)格，有機(jī)會比ONFI聯(lián)盟更早一步問世，業(yè)界甚至傳出三星與東芝攜手支持LBA規(guī)格機(jī)率相當(dāng)高，屆時(shí)全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)將形成英特爾ONFI陣營力抗三星及東芝LBA陣營的局面！
       東芝一直是NAND Flash技術(shù)者，這次提出LBA規(guī)格，已傳出三星將與其簽署合約，共同量產(chǎn)此規(guī)格產(chǎn)品。記憶體業(yè)者表示，若是三星確定支持東芝，NAND Flash產(chǎn)業(yè)將形成英特爾所主導(dǎo)ONFI陣營，全力對抗三星與東芝LBA陣營局勢，且以目前態(tài)勢來看，NAND Flash產(chǎn)業(yè)走到50奈米制程以下及內(nèi)嵌式市場，介面規(guī)格愈益重要，而以龍頭廠自居的三星，為英特爾抬轎機(jī)率相當(dāng)小，選擇與東芝攜手機(jī)率則很高。惟三星對此表示，針對各種NAND Flash介面規(guī)格，目前內(nèi)部仍在密切觀察中。
       值得注意的是，由于東芝在NAND Flash技術(shù)能力，LBA規(guī)格幾乎是獨(dú)自開發(fā)出來，不像ONFI聯(lián)盟般四處招兵買馬，因此，LBA詳細(xì)的規(guī)格設(shè)計(jì)內(nèi)容，在記憶體控制IC業(yè)界已成為人人都想取得的“武林秘笈”，各家控制IC業(yè)者都想提前拿到規(guī)格，以期在時(shí)間推出可支援產(chǎn)品。
       此外，東芝內(nèi)部所開發(fā)LBA介面NAND Flash技術(shù)，系讓系統(tǒng)直接下邏輯地址，每1個(gè)儲存單位分配1個(gè)獨(dú)特地址編碼，因此，未來若NAND Flash制程和容量提升，只需將編號向后延續(xù)，且此規(guī)格對于錯(cuò)誤矯正(Error Correcting Code；ECC)和讀寫功能處理效率較高，當(dāng)NAND Flash制程技術(shù)走向50奈米以下時(shí)幫助相當(dāng)大。
       事實(shí)上，不論是ONFI或LBA規(guī)格勝出，其目的都是在減少控制IC在處理NAND Flash復(fù)雜度，在50奈米制程世代，錯(cuò)誤矯正需要到8bit能力，控制IC功能已處理得相當(dāng)辛苦，未來進(jìn)入45奈米制程后，問題將更嚴(yán)重，恐影響NAND Flash導(dǎo)入終端產(chǎn)品速度，這亦是各家大廠都亟欲開發(fā)介面規(guī)格的原因之一。
       記憶體業(yè)者指出，其實(shí)ONFI和LBA規(guī)格相當(dāng)類似，概念是一樣的，只是在處理方式相異，ONFI系英特爾于2006年中正式對外宣布，而東芝內(nèi)部開發(fā)LBA規(guī)格亦已有一段時(shí)間，且東芝動作比較快，現(xiàn)在規(guī)格都大致確定，2007年下半可正式量產(chǎn)，至于ONFI介面雖已發(fā)展至ONFI 2.0版本，但規(guī)格還未確定。