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      集邦:DRAM現貨價大幅反彈 超越品牌價 形成黃金交叉

      更新時間: 2007-06-28 17:17:21來源: 粵嵌教育瀏覽量:579

             近期DRAM現貨報價出現大幅上漲走勢,根據集邦科技報價資料,上周DDR2 eTT顆粒上漲至2.07美元,單周漲幅達 29.4%。而品牌顆粒 DDR2 512Mb 則上漲至2.06美元。集邦分析師指出,DDR2 eTT價格漲勢驚人,甚至已經超越品牌價格形成黃金交叉,以過往歷史經驗觀察,將有機會帶動現貨市場的品牌顆粒價格上揚。   
             根據集邦科技分析,近期現貨報價反彈大約可以歸納 2種原因。首先是中國華南地區嚴抓走私DRAM,促使深圳地區的通路商積極備貨,帶動價格上漲。另一項重要因素是,近期臺系DRAM廠商紛紛轉進70nm,拉長cycle time,使得5、6月份產出減少。
             集邦科技指出,一般DRAM產品經由海關進入中國市場,必須要課征 17%的關稅,因此對于價格波動非常大的現貨市場而言,從香港走私進去的DRAM產品成為部份大陸通路商的競爭模式,而近期華南地區嚴抓走私的政策,相關廠商為了避免缺貨而積極備貨,進而帶動DRAM現貨價格的上漲。
             此外,近期臺系DRAM廠商紛紛轉進70nm,拉長cycle time,使得5、6月份產出減少。雖然減少幅度不大,但是由于臺系廠商主要供貨到現貨市場為主,在預期現貨市場供給量減少的情況下,帶動現貨市場報價大幅反彈。預期7、8月以后臺系廠商70nm制程進度將較為順利。

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