由英特爾(Intel)所自行研發(fā)的嵌入式快閃記憶體(Flash)模組“Turbo Memory”(開發(fā)代號Robson)，除已于2007年5月率先導(dǎo)入Santa Rosa 筆記型電腦(NB)平臺中應(yīng)用，亦規(guī)劃第3季針對桌上型電腦(DT)系統(tǒng)，推出擴充卡。不過，據(jù)主機板(MB)業(yè)者透露，英特爾近日向多家業(yè)者表示，由于1.0版本BIOS及驅(qū)動程式效能不盡理想，為免“砸了招牌”，因此將暫緩Turbo Memory移植DT計畫，需重寫B(tài)IOS及驅(qū)動程式，并延至2007年底或2008年第1季初才會面市。
       MB業(yè)者指出，先前英特爾于COMPUTEX中即公開表示，“Turbo Memory”將會移植DT系統(tǒng)計畫中，并預(yù)定第3季出貨1.0版本，MB業(yè)者可自行選擇采用購買英特爾自家Turbo Memory擴充卡方式，或是購買英特爾的晶片及NAND Flash，直接打在主機板上。不過，據(jù)英特爾內(nèi)部文件指出，由于DT內(nèi)建Turbo Memory 1.0版本的效能測試并不如預(yù)期，為免辛苦研發(fā)多時的“Turbo Memory”初推即蒙塵，因此毅然決定取消1.0版本計畫，延后至2007年底或2008年首季再直接推出1.5版本。
       而這也是繼惠普(HP)宣布現(xiàn)階段不會推出內(nèi)建Turbo Memory的Santa Rosa NB產(chǎn)品后，英特爾引以為傲的“Turbo Memory”技術(shù)再度受到打擊。
       英特爾Turbo Memory技術(shù)是基于微軟(Microsoft)新一代作業(yè)系統(tǒng) Vista的ReadyBoost及ReadyDrive功能而設(shè)計，可縮減作業(yè)系統(tǒng)及應(yīng)用程式的啟動時間，為硬碟機造成更大的緩沖容量，提升讀寫時間，并減少硬碟啟動及轉(zhuǎn)動次數(shù)，有效降低硬碟的耗電，進一步提升電池續(xù)航力，為新一代Santa Rosa平臺的選擇性配備之一。
       Turbo Memory所采用的NAND Flash采用72奈米制程，先前規(guī)劃下一代Turbo Memory 2.0將會采用50奈米制程的NAND Flash，將可達至8GB容量，原預(yù)計第3季推出的Turbo Memory擴充卡，容量為1GB，共有ICH9R、ICH8DH、ICH9DO 3款南橋晶片搭配。