在2006年，若干新興的記憶體技術大步朝商業化目標邁進──雖然它們尚未對在該領域占據主流位置的DRAM或快閃記憶體構成挑戰。這些新興記憶體包括飛思卡爾(Freescale)的商用4Mb MRAM、三星(Samsung)的相變化RAM (PRAM)和全像記憶體、美商InPhase的非半導體記憶體技術。

       市場研究公司iSuppli分析師Mark DeVoss指出，這些記憶體技術的開發已經歷時多年，由于各種原因，每一種技術都尚未準備就緒以迎接發展的黃金時間。然而在2006年取得的技術進展可能足以證明：迅速把各自的技術從實驗室投入附近的供應商是有益的。

       飛思卡爾表示，其MRAM元件能夠擷取所有目前記憶體技術的所有想要的特性。該公司表示，其新元件已經把讀出和寫入速度平衡到了35ns，類似于DRAM或快閃記憶體，并且儲存單元的密度類似DRAM和快閃記憶體。然而飛思卡爾表示，MRAM沒有像DRAM那樣的泄漏問題，并支援像DRAM、SRAM，以及非揮發性快閃記憶體那樣的無限制耐久性約束。

       DeVoss表示，MRAM作為一種技術已經出現了幾年，但是由于各種原因一直沒有實現大量的商業成功，這些原因包括不具備競爭力的每位元成本，和難以把采用該技術的模組整合在標準的CMOS制程元件之中。

       飛思卡爾的突破在于解決了個問題，它利用術語上稱為“固定(Toggle)”位元與一種創新的MRAM單元結構相結合，不需要額外的控制三極管就能夠把單元穩定在“1”或“0”狀態，因而提供了一種化的位元解決方案。透過把MRAM模組結合到制程流程的后段，可以解決制程整合問題，并將對標準CMOS邏輯制程步驟的影響小化。

       而三星的512M PRAM值得注目之處，在于其密度和功能集(即密度、讀出和寫入性能及耐久力)，使之直接與大量應用(如行動電話)中的NOR快閃記憶體競爭。DeVoss表示，在過去的幾年中，三星一直吹噓64Mb和256Mb元件將成為NOR快閃記憶體的殺手，但是市場成效不大。該公司目前聲稱，已經解決了保持記憶體陣列數據所需要的硫化物層的化合物挑戰，并預期快在2008年使主流市場轉向PRAM。

       三星不是關注相變化記憶體未來發展潛力的企業，英特爾(Intel)和意法(ST)已經聯合設計和開發了128Mb元件，但迄今為止尚未有產品的發表或預測大量商業化生產的日期。DeVoss認為，目前相變化記憶體的關鍵不在于如何制造，而在于以引人注目的價格點來生產，以便取代它的競爭對手NOR快閃記憶體。如果相變化記憶體不能以合適的價格提供使用，那么市場認同將進一步延遲。

       此外全像記憶體的開發也歷時許多年，DeVoss指出，這類記憶體利用雷射、光感測器、影像感測器和在實現術語上稱為“體記錄”的專用媒介技術。利用為目前消費性高解析度DVD燒錄機和高解析度數位相機開發的技術──包括藍光和綠光雷射技術及CMOS影像感測器──已經能夠實現全像記憶體的商業化。

       全像記憶體元件至今尚未準備好投入消費市場，而其一次寫入、多次讀出(WORM)的限制和高昂的設備成本對提高其采用率有一定限制。然而隨著研究工作的深入，全像記憶體可能有成為主流的記憶體。

       InPhase的Tapestry 300讀/寫系統目前的報價是1萬8,000美元，在直徑僅5.25英寸的單一媒介光碟上提供了300Gb的資料儲存密度。DeVoss表示，這種光碟類似于目前標準的DVD光碟，并具有稍微高于100美元的報價。其5.25英寸光碟的理論密度目標是超過1.6Tb，但是近來不可能達到那個水準。

       而DeVoss表示，目前看來上述三種記憶/儲存技術被認為頗具發展前途，在這些技術開始邁向商業化之前，其未來市場的發展值得拭目以待。

       來源：中國IC交易網