力晶12寸廠產能陸續開出，90奈米制程良率提升，5、6月營收可望逐月創歷史新高。
      力晶今年購入旺宏12寸廠之后，目前擁有有一座8寸及三座12寸晶圓廠，未來計劃再興建4座12寸晶圓廠，挑戰全球前三大DRAM供應商。
      力晶上周獲瑞薩技術授權4Gb AG-AND flash技術，今年的資本支出從原本的600億元提高到700億元，將大舉擴充快閃記憶體的量產布局，據了解，力晶5月營收可望比4月增加3%至5%，再創新高。
      力晶發言人譚仲民指出，力晶目前洽談銀行聯貸，在“緘默期”中，不能預測業績。瑞薩同意轉移4Gb快閃記憶體技術，對力晶是一大突破，AG-AND flash性能、大小和NAND flash差不多，但制程成本比NAND低。
      力晶標準型DRAM已全數轉至12寸廠生產，目前超過70%以上投片量都采90奈米制程，產出部分已超過五成比重，良率逾八成以上，DDRII配置已在40至50%左右。
      由于每單位晶圓面積可增加40%產出，業界估計力晶第三季DRAM成本，會比年初降低兩成。
      力晶持續增加12寸廠產出，包括12B廠季月產能已達4萬片，而新購入的12M廠年底月產能可達2萬片，12寸廠總月產能未來將達10萬片。力晶目前90奈米技術制程已經進入量產，單月投片量約1萬片，良率也達80%水準，預計今年上半年90奈米制程比重將達50%，而80奈米制程也將在第三季試產。