在正式導(dǎo)入新工藝或?qū)ΜF(xiàn)有工藝進(jìn)行改良時(shí)，半導(dǎo)體廠商都會(huì)先在內(nèi)存上做試驗(yàn)，而Intel在臺(tái)北IDF上表示，他們已經(jīng)成功使用65nm工藝生產(chǎn)出了頻率高達(dá)10.1GHz的存儲(chǔ)芯片。

       Intel數(shù)字企業(yè)事業(yè)部總經(jīng)理Thomas M.Kilroy在IDF上展示了Intel的65nm工藝晶圓。利用改良后的65nm工藝，Intel已經(jīng)能夠生產(chǎn)出10.1GHz的64Bit Register File Array存儲(chǔ)芯片，創(chuàng)造了業(yè)界新記錄，同時(shí)0.85V電壓下可穩(wěn)定工作于4GHz，而且其延遲也由兩個(gè)循環(huán)降至一個(gè)循環(huán)，功耗更是只有42mW。看來(lái)Intel的65nm工藝已經(jīng)達(dá)到了爐火純青的地步。

       此外，Intel已經(jīng)利用45nm工藝完成了具備完整功能的152Mb SRAM芯片的開發(fā)，并將在2007年下半年正式導(dǎo)入新工藝。除了可進(jìn)一步降低產(chǎn)品成本外，45nm相比65nm還能帶來(lái)20％的性能提升和30％的功耗下降。