在IDF上，Intel一名官員預測說10年后芯片時鐘將高達250THz:

       "鎵、砷、銦、銻等金屬材料可能會有助于英特爾將未來芯片的時鐘頻率提高至250Thz或更高的水平。

       上周四，英特爾負責技術戰略的主管鮑羅在“英特爾開發商論壇”上公布了在未來十年后將芯片時鐘頻率提高至250THz的計劃。鮑羅說，通過在硅基片上增添多種其它半導體材料，設計人員將能夠控制材料的原子屬性。

       他表示，在過去的三十年中，我們一直在減小硅晶體管的尺寸，我們目前已經得到了厚度為4、5個原子的晶片，但我們無法取得進一步的突破。為了提高性能，我們需要提高電子的移動能力，應力硅能夠將電子的移動能力提高一倍，但我們在這一方面會得到極限。

       鮑羅表示，包括鎵、砷、銦、銻在內的六、七種半導體材料的電子移動能力比硅高，但我們卻不會完全轉向這些材料。他說，我們無法利用它們制造晶圓片，但我們可以在硅晶圓片上“沉積”部分這些材料。我們可以制造出混合型的半導體材料，因為這些元素是可以混合的。

       鮑羅指出，這樣的芯片的速度會更快，需要的電壓更低。他說，我們認為硅晶體管的時鐘頻率只能達到25THz，我們能夠獲得比這一速度高10-100倍的晶體管。