IR推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
      新器件系列結合IR的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (RDS(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關損耗。
      IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉向使用新器件。
      IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd，使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQ、ST和MP占位面積可供選擇，可以使設計更具靈活性。