瑞薩科技開發出了目前市場上容量的64 Mb先進低功耗SRAM（先進LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進LPSRAM產品R1LV3216R系列。32 Mb產品的樣品將于2008年4月開始在日本交付，64 Mb產品的樣品交付時間為7月份。
      
      這兩個新系列將進一步擴展瑞薩科技采用專有存儲單元技術實現更小芯片尺寸和無軟錯誤 的先進LPSRAM產品的陣容。兩個系列將以不同的封裝和不同的規格(例如存取時間)供貨。總共十二款64 Mb產品和八款32 Mb產品可以滿足包括工業、辦公設備、消費類電子產品、汽車系統和通信設備等領域的各種需求。
      R1WV6416R系列和R1LV3216R系列的主要功能概括如下。
      （1）行業容量64 Mb的低功耗SRAM
      新型64 Mb低功耗SRAM的每款產品都是在一個封裝中集成了兩個小型32 Mb先進LPSRAM芯片的堆棧，實現了業界的容量。這些器件可以滿足高性能系統的大容量低功耗SRAM需求，同時滿足以前需要多個低功耗SRAM器件才能實現的應用對減小空間的要求。
      （2）廣泛的封裝陣容可滿足各種需求
      為了滿足各種應用需求，這兩個新系列采用了幾種不同的封裝：TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳），而64 Mb產品還有FBGA（48焊球）封裝。TSOP I和μTSOP封裝與以前的16 Mb產品尺寸相同，而FBGA封裝的焊球布局則為信號引腳兼容。這將有助于客戶在繼續使用其現有布局設計時增加存儲容量。
      3）具備無軟錯誤和無鎖定的高可靠性
      先進LPSRAM采用一種堆疊電容器*2 存儲單元結構，這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯誤，這可能是超精細SRAM存在的一個問題。此外，這種存儲單元結構還可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的問題*3，它可能產生寄生電流流動并導致鎖定。消除軟錯誤和鎖定可以實現卓越的可靠性。
      <產品背景>
      瑞薩科技的低功耗SRAM產品目前已應用于工業設備、辦公設備、消費類電子產品、汽車系統和通信設備等領域的各種應用。這些產品可用于電池供電的數據備份，如MCU的工作存儲器以及圖像數據的備份存儲器。隨著系統性能的不斷提高，大容量低功耗SRAM產品的需求正在持續增長。
      同步DRAM（SDRAM）以前是主要用于工業或汽車系統等應用的MCU工作存儲器或圖像數據備份存儲器的標準選擇。近來，經過不斷的推陳出新，高容量低功耗SRAM正作為SDRAM的一種替代方案不斷為這類應用所采用。
      超精細制造工藝的采用增加了SRAM的存儲容量，但是這也容易引起軟錯誤率的上升。這個問題是由于存儲器節點*4 的電容下降引起的，這使之更容易受到滲入硅襯底的alpha輻射或高能量中子輻射的影響而產生寄生電荷。這將增加由存儲器節點引起的數據丟失率，而必須使用隔離措施進行處理。
      為了滿足這些要求，瑞薩科技開始采用一種堆疊的電容器配置，它是一種成熟的DRAM元件，可以防止超精細尺寸存儲器節點電容的下降。它有助于開發無軟錯誤的先進LPSRAM。目前批量生產的先進LPSRAM產品包括4 Mb和16 Mb的產品，以及由兩個16 Mb芯片堆迭一個封裝中組成的32 Mb產品。兩個新系列分別是采用小型單芯片32 Mb的產品，以及堆迭在一個封裝中的兩個32 Mb芯片組成的64 Mb產品，這些均可以滿足增加容量的要求。
      <產品細節>
      R1WV6416R系列64 Mb先進LPSRAM產品，以及R1LV3216R系列32 Mb先進LPSRAM產品的存取時間為55 ns（納秒）或70 ns，分別采用TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳）或FBGA（48焊球）封裝*（對于64 Mb產品）。TSOP I（48引腳）產品的封裝與目前的16 Mb產品相同，而μTSOP（52引腳）的封裝與目前的8 Mb、16 Mb和32 Mb產品相同。FBGA（48焊球）產品的焊球布局與目前的4 Mb、8 Mb、16 Mb和32 Mb產品后向兼容。這將有助于客戶在繼續使用其現有布局設計時增加存儲容量。
      隨著兩個新系列的推出，瑞薩科技的低功耗SRAM陣容將擁有總共100多個型號從低到高的八種容量（256 Kb、1 Mb、2 Mb、4 Mb、8 Mb、16 Mb、32 Mb和64 Mb），可以更好地滿足各種用戶需求。
      * （瑞薩科技以前的低功耗SRAM產品包括先進LPSRAM產品和采用傳統存儲單元結構的產品）。
      先進LPSRAM可以利用堆疊電容器消除軟錯誤，同時通過采用一種垂直結構減少每個存儲單元的表面積，其結構中的堆疊電容器形成在晶體管的上層。這種SRAM元件采用多晶硅TFT*5 作為P溝道負載晶體管。通過將這些形成在其他晶體管的上層，同時減少底部晶體管的數量，就可以減少存儲單元的表面積。這就是32 Mb R1LV3216R系列擁有32 Mb低功耗SRAM產品中業界小芯片尺寸的由來。
      此外，底部晶體管僅包括驅動器和采用N溝道的存取晶體管，因此沒有在存儲區形成一種寄生可控硅結構的危險，而在理論上也不會發生鎖定。消除軟錯誤和鎖定可以實現卓越的可靠性。
      此外，先進LPSRAM不需要刷新，因而要比偽SRAM（PSRAM）的功耗更低，后者采用SDRAM或DRAM存儲單元作為SRAM接口。這將使之適用于使用電池的數據備份等低功耗應用。
      <典型應用>
      ·消費類產品：電子詞典，等等
      ·工業設備：自動販賣機、POS終端、自動檢票門，等等
      ·辦公設備：多功能復印機等等
      ·汽車系統：汽車導航系統，等等
      ·通信系統：電話交換機、路由器，等等
      
      <日本市場價格> * 僅供參考
      
      <規格>
      
      
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