Ramtron推出2兆位串行F-RAM存儲器，采用8腳TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封裝。FM25H20 采用先進的130納米CMOS工藝生產，是高密度的非易失性F-RAM存儲器，以低功耗操作，并備有高速串行外設接口(SPI)。該3V、2Mb串行F-RAM器件以的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數據采集能力，使系統設計人員能夠在計量和打印機等應用中減少成本和板卡空間。
       FM25H20是串行閃存的理想替代產品，用于要求低功耗和小板卡空間的精密電子系統中，包括便攜式醫療設備如助聽器等，它們實際上是微型數據處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，F-RAM的優勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個數量級。
       Ramtron 戰略市場拓展經理 Duncan Bennett 解釋道：“對于那些需要在其新一代應用中提高數據采集能力，卻不增加板卡空間的計量和打印機客戶而言，這款 2Mb 串行 F-RAM 是自然的產品延伸。FM25H20 以相同的小占位面積，為半兆位串行 F-RAM 客戶提供高達四倍的存儲能力。除提升現有系統外，這種技術發展還推動 F-RAM 進入多個需要低功耗存儲器而空間嚴重受限的新興市場，如便攜式醫療設備。”
       FM25H20是256K x 8位非易失性存儲器，以高達40MHz的總線速度進行讀寫操作，具有幾乎無限的耐用性、10年的數據保存能力，以及低工作電流。該器件設有工業標準SPI接口，優化了F-RAM的高速寫入能力。FM25H20還備有軟件和硬件寫保護功能，能避免意外的寫入與數據損壞。
       該2Mb串行F-RAM以低功耗工作，在40MHz下讀/寫操作的耗電低于10mA，待機狀態下耗電為80μA (典型值)，超低電流睡眠模式下耗電為3μA (典型值)。FM25H20與同等串行閃存器件接腳兼容，并且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性，比較閃存更為優勝。該器件在整個工業溫度范圍內 (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6V電壓下工作。
       FM25H20以德州儀器公認的130納米CMOS制造工藝為基礎。在標準CMOS 130 nm邏輯工藝內嵌入非易失性F-RAM模塊，僅使用了兩個額外的掩模步驟。
供貨
       FM25H20現提供樣品，并采用符合RoHS要求的8腳TDFN封裝，與8腳SOIC封裝器件占位面積兼容。