日前，Vishay推出了旨在滿足對便攜式設備中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有此類器件中薄厚度及導通電阻。 
       Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面積，這也是在 1.2V 額定電壓時提供導通電阻的此類器件。該器件的典型應用包括手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的負載開關及電池保護。
       Si8441DB 提供了 1.2V VGS 時 0.600Ω至 4.5V VGS 時 0.080Ω的導通電阻范圍，且具有 ±5V 的柵源電壓。其在 1.2V 額定電壓時出色的低導通電阻性能降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間。
       Vishay同時還推出了采用相同 MICRO FOOT芯片級封裝的另一新款 MOSFET 功率器件--20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB 的額定柵源電源為 8V，其導通電阻范圍介于 1.5V 時 0.200Ω 至 4.5V 時 0.80Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實現的值。
       隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現消費者對電池充電間隔間的電池運行時間的期望，設計人員需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封裝，這恰恰是Vishay的 Si8441DB 及 Si8451DB 所具有的特點。
       目前，上述兩款新型 MICRO FOOT芯片級封裝功率 MOSFET 的樣品與量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。