英飛凌科技股份公司(Infineon)近日宣布，該公司正在批量供應(yīng)款采用CMOS工藝在硅晶圓上制成的射頻開關(guān)，這種射頻開關(guān)具有與采用砷化鎵(GaAs)工藝制成的射頻開關(guān)相同的性能。迄今為止，CMOS射頻開關(guān)只能采用專用的、價格昂貴的藍(lán)寶石晶片制作才能達(dá)到砷化鎵開關(guān)的性能。
       全新產(chǎn)品系列中的款CMOS射頻開關(guān)BGS12A采用微小間距晶圓級封裝(WLP)，其尺寸僅為0.79mm x 0.54mm，與市場上小的GaAs射頻開關(guān)相比，其印刷電路板(PCB)空間減少了60%左右。在包括手機(jī)、WLAN、WiMAX、GPS導(dǎo)航、藍(lán)牙附件或遙控?zé)o鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)在內(nèi)的許多無線產(chǎn)品中，射頻開關(guān)一般被用于實現(xiàn)收發(fā)數(shù)據(jù)、頻段選擇或天線多樣性應(yīng)用的切換，并且支持全球漫游。平均來說，每個移動設(shè)備一般需要配備一個射頻開關(guān)。但是，一些高端多頻手機(jī)需要配備多達(dá)四個射頻開關(guān)。
       英飛凌科技股份公司硅組件主管Michael Mauer表示：“英飛凌的CMOS射頻開關(guān)采用小型芯片級封裝，無需更多額外組件(比如電平轉(zhuǎn)換器)，從而為電路板設(shè)計節(jié)省了更多空間，隨著現(xiàn)代多模式移動設(shè)備復(fù)雜度的不斷增加，預(yù)計射頻開關(guān)將在未來五年內(nèi)取代今天的PIN二極管。”
       據(jù)位于波士頓的美國市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Strategy Analytics的調(diào)查顯示，2006年，射頻開關(guān)全球市場規(guī)模約為20億片，預(yù)計到2011年市場規(guī)模將翻番達(dá)到約40億片。
       英飛凌的新型射頻開關(guān)采用的射頻CMOS工藝制成，它將CMOS工藝的益處和杰出的射頻性能結(jié)合起來，比如低插入損耗、低諧波失真、良好的絕緣性和高功率電平等特性。固有的CMOS優(yōu)勢包括高度集成能力、成本效益和優(yōu)異的靜電放電(ESD)耐受性。與現(xiàn)有的解決方案相比，CMOS射頻開關(guān)具有的集成能力；比GaAs器件成本更低；由于電流損耗被大大減少，它比PIN二極管具有更長的電池使用時間。所有英飛凌射頻開關(guān)都無需外部直流(DC)阻隔電容并且集成了全部控制邏輯。CMOS兼容邏輯電平(1.4 V-2.8 V)消除了對外部電平轉(zhuǎn)換器的需要。
       關(guān)于BGS12A
       BGS12A是英飛凌新型CMOS射頻開關(guān)系列的款產(chǎn)品。它是一款通用型單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，可用于功率電平達(dá)20dBm(P-1dB高于30dBm)的應(yīng)用。新型射頻開關(guān)具有卓越射頻性能，頻率為1.0GHz時的插入損耗僅為0.3dB，而且還具有低諧波失真，良好的絕緣性(34dB，1.0GHz)以及小于4μs的快速開關(guān)時間。該開關(guān)的接口可以耐受1.5kV HBM(人體模型)靜電放電(ESD)，這可以提高制造商的移動設(shè)備產(chǎn)量并且獲得需要的ESD水平。BGS12A是頻率達(dá)3GHz的中低功率應(yīng)用的理想選擇。
       定價和供貨
       BGS12A現(xiàn)已批量供應(yīng)。購買1,000片的單價為0.70美元。
       英飛凌將推出新型射頻開關(guān)系列的其他產(chǎn)品，這些開關(guān)產(chǎn)品將采用其他封裝類型，包括16管腳小型無引線封裝(TSLP)，38dBm的更高功率電平以及適用于多種無線產(chǎn)品的多9個收發(fā)端口。其他產(chǎn)品的批量生產(chǎn)預(yù)計將于2008年下半年開始。