德州儀器(TI)在國際固態電路會議(ISSCC)中推出采用45納米的3.5G基帶與多媒體處理器，TI的45納米工藝包含多種先進技術和設計，以及新一代的SmartReflex 2耗電與性能管理技術，可解決無線市場重要的耗電問題。 

       無線廠商可通過這些新技術開發更輕薄短小和擁有先進多媒體功能的產品，相較于65納米工藝，其可提升55%的性能并減少63%的耗電量。TI運用其專業的芯片技術提高這套客制化解決方案的性能，同時大幅降低功耗，并自2007年第4季起提供樣品元件。 

       TI低功耗45納米工藝專門滿足手機和便攜式產品的特定市場需求，利用浸入式微影設備和超低介電系數材料將每個硅晶圓所能制造的芯片數目加倍，同時通過多種技術提供超越現有65納米低功耗工藝的性能，這些技術包括能進一步降低45納米工藝漏電的應變硅技術。 

       TI45納米無線數字與類比設計平臺將數億個電晶體整合至12 x 12mm封裝。該平臺利用ARM11、高效能TMS320C55x DSP和視頻信號處理器提供1個高產出通訊和高性能多媒體應用引擎，讓支持多種無線標準的手機也能提供如消費性電子產品般高水準的使用經驗。 

       45納米工藝將大幅提升半導體元件性能，更能滿足日益嚴苛的行動多媒體環境需求。通過新工藝，客戶可設計并提供具備高畫質視訊播放與錄制功能的手機，并且同時執行多種應用，如一邊玩3D游戲，一邊進行視訊會議，大幅提升使用經驗。45納米工藝還能降低功耗，讓手機設計整合更多的先進功能與應用，并提供更長時間的視訊播放、通話和待機。 

       TI新推出的加強型SmartReflex 2技術更增加許多新功能，包括TI專利的「智慧型適應性技術」(Adaptive Body Bias；ABB)，能自動和動態調整電壓；特殊漏電管理功能──Retention ’Til Access (RTA)記憶體，可在作業中切換至低功耗模式。而SmartReflex PriMer工具則是系統單芯片設計專用的一系列自動化工具，可協助自動產生暫存器轉換語言(RTL)，確保其建構正確和加速產品上市時程，讓45納米工藝提供智慧型芯片性能并減低功耗。 

       TI在2007年第4季推出45納米無線SoC解決方案樣品，預計2008年即可通過300mm(12英寸)晶圓的生產認證。