英飛凌科技股份公司(Infineon)和半導(dǎo)體封裝和測(cè)試公司日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(ASE)近日宣布，雙方將合作推出更高集成度半導(dǎo)體封裝，可容納幾乎無(wú)窮盡的連接元件。與傳統(tǒng)封裝(導(dǎo)線架層壓)相比，這種新型封裝的尺寸要小30%。
       英飛凌通過(guò)全新嵌入式WLB技術(shù)(eWLB)成功地將晶圓級(jí)球陣列封裝(WLB)工藝的優(yōu)越性進(jìn)行了進(jìn)一步拓展，即：成本優(yōu)化生產(chǎn)和增強(qiáng)性能特性。與WLB一樣，所有操作都是在晶圓級(jí)別上并行進(jìn)行，標(biāo)志著晶圓上所有芯片可以同時(shí)進(jìn)行處理。為了更有力地推廣這些優(yōu)勢(shì)，英飛凌和ASE已經(jīng)結(jié)成合作伙伴關(guān)系，將英飛凌開(kāi)發(fā)的這一技術(shù)與ASE的封裝技術(shù)專長(zhǎng)融合在一個(gè)許可模型中。
       eWLB技術(shù)是WLB技術(shù)的前瞻性發(fā)展，同時(shí)完美繼承了后者的突出優(yōu)點(diǎn)，如小型封裝尺寸、卓越電氣性能和熱性能以及連接密度。但這一全新技術(shù)還大大提高了封裝的功能和適用范圍。由于eWLB，面向移動(dòng)通信應(yīng)用的調(diào)制解調(diào)器和處理器芯片等復(fù)雜半導(dǎo)體芯片要求在小的尺寸上實(shí)現(xiàn)擁有標(biāo)準(zhǔn)接觸間距的大量焊接。同時(shí)，這些封裝上可以提供所需的足夠多的焊接觸點(diǎn)。在芯片周圍實(shí)現(xiàn)適當(dāng)額外布線區(qū)意味著該晶圓級(jí)封裝技術(shù)也可以用于全新緊湊型應(yīng)用。
       全新封裝將根據(jù)許可模型在英飛凌科技和ASE的工廠生產(chǎn)。首批組件預(yù)計(jì)將于2008年年底前面市。