Vishay推出單片功率 MOSFET 與肖特基二極管器件，該器件在直流到直流轉換應用中可將運行效率提高 6%。
      
       新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已經過測試，可匹敵競爭的單片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的業界標準分立 MOSFET 與肖特基二極管組合。無論在輕負載還是在重負載情況下，使用 SkyFET 器件的電路在運行時均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 時，效率超過 91%。這些優勢是通過以下特性實現的：Si4642DY整合肖特基二極管的低正向壓降與反向恢復電荷，以及通過將兩器件整合到單個芯片中實現的更低 PCB 寄生電感。
      
       新型 Si4642DYSkyFET 功率 MOSFET 一般將在面向筆記本電腦內核電壓與 VRM 應用的同步降壓轉換器、顯卡、負載點功率轉換及計算機與服務器中的同步整流中用作低端功率 MOSFET。該新型器件將 30V 擊穿電壓與 10V 柵極驅動時 3.75 毫歐的 MOSFET 導通電阻進行了完美結合。

       與使用單獨元件或共同封裝的元件相比，將肖特基二極管與 MOSFET 整合到單個芯片上不僅節省了板面空間，而且還通過三個主要方式提高了器件性能。
      
       首先，肖特基二極管中的正向壓降 (VF) 遠低于 MOSFET 的內在體二極管中的壓降。當在降壓轉換器應用中的停滯時間關閉 MOSFET 時，這將實現極低的功耗。

       第二個改進是肖特基二極管的反向恢復電荷 (QRR) 比 MOSFET 體二極管的 QRR更低。與標準 MOSFET 體二極管相比，Vishay Siliconix SkyFET 技術可使器件中的 QRR降低幾乎 20%，這可在輕負載下提高轉換器的效率。
      
       ，將肖特基二極管整合到 MOSFET 芯片中可消除在將它們作為單獨元件安裝到 PCB 或共同封裝單獨 MOSFET 及肖特基二極管元件時存在的寄生電感。與共同封裝的等同 MOSFET/肖特基器件相比，Si4642DY可實現更高的效率、更穩定的波長，以及在 4.5V 時低 55% 的導通電阻。

       目前，Si4642DY控制器的樣品和量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8～10 周。
      
       詳情請訪問： http://www.vishay.com。