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      Infineon與日月光合作推出更高集成度半導體封裝

      更新時間: 2007-12-19 09:55:25來源: 粵嵌教育瀏覽量:963

             英飛凌科技股份公司(Infineon)和半導體封裝和測試公司日月光半導體制造股份有限公司(ASE)近日宣布,雙方將合作推出更高集成度半導體封裝,可容納幾乎無窮盡的連接元件。與傳統封裝(導線架層壓)相比,這種新型封裝的尺寸要小30%。
             英飛凌通過全新嵌入式WLB技術(eWLB)成功地將晶圓級球陣列封裝(WLB)工藝的優越性進行了進一步拓展,即:成本優化生產和增強性能特性。與WLB一樣,所有操作都是在晶圓級別上并行進行,標志著晶圓上所有芯片可以同時進行處理。為了更有力地推廣這些優勢,英飛凌和ASE已經結成合作伙伴關系,將英飛凌開發的這一技術與ASE的封裝技術專長融合在一個許可模型中。
             eWLB技術是WLB技術的前瞻性發展,同時完美繼承了后者的突出優點,如小型封裝尺寸、卓越電氣性能和熱性能以及連接密度。但這一全新技術還大大提高了封裝的功能和適用范圍。由于eWLB,面向移動通信應用的調制解調器和處理器芯片等復雜半導體芯片要求在小的尺寸上實現擁有標準接觸間距的大量焊接。同時,這些封裝上可以提供所需的足夠多的焊接觸點。在芯片周圍實現適當額外布線區意味著該晶圓級封裝技術也可以用于全新緊湊型應用。
             全新封裝將根據許可模型在英飛凌科技和ASE的工廠生產。首批組件預計將于2008年年底前面市。

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