日前，德州儀器 (TI) 宣布推出支持簡單動態電壓縮放的雙電平 200mA 低壓降 (LDO) 線性穩壓器，該產品采用了微小型五球柵芯片級封裝。該器件具備很高的靈活性，對那些需要雙級輸出穩壓、通過更大存儲器支持 eFUSE 或 SIM 卡編程的應用而言非常適用，能滿足無線手持終端、PDA、智能電話、MP3 播放器以及其它手持式設備的需求。
       TI 新型 TPS728185315 LDO 支持 230 mV 超低壓降，其輸入電壓范圍為 2.7 V 至 6.5 V，固定輸出電壓范圍在 0.9 V 至 3.6 V 之間。LDO 的 EEPROM 預設電壓選項為 1.85 V 與 3.15 V。LDO 可幫助設計人員設置 eFUSE 與 SIM 卡的可切換電壓，比方說可就熔絲編程或SIM卡檢測提供較高電壓，也可在編程結束時提供較低電壓。設計人員可在一定時間內在兩種電壓之間進行切換，不會出現過沖與下沖問題。動態電壓縮放還有助于降低漏電流，確保廣泛應用于便攜式應用中的集成百萬晶體管的亞微米處理器(如 TI 超低功耗 MSP430 微控制器)都能高效工作。
       集成式高精度帶隙與誤差放大器在不同負載、線路與溫度極限條件下的整體誤差不超過 2.5%。TPS728185315 在高達 1 MHz 寬頻率范圍內不僅實現了高電源紋波抑制比 (PSRR) 與 160 μs 啟動時間，而且線路與負載瞬態響應相當出色。該器件可全面設置于 -40o C 至 125o C 的工作溫度范圍內。
       TPS728185315 的關鍵特性：
       · 雙通道 200mA LDO 穩壓器;
       · 提供從 0.9 V 至 3.6 V 的多種固定輸出電壓組合，采用出廠 EEPROM 編程;
       · VSET 引腳能在兩種預設電平間切換輸出電壓;
       o 預設輸出電壓電平可通過 EEPROM 編程為任意組合;
       · 高 PSRR：1 kHz 時為 65 dB;
       · 不同負載、線路與溫度條件下的誤差不超過 2.5%;
       · 與 1.0μF 陶瓷電容器保持穩定工作狀態;
       · 熱關斷與過流保護;
       · 低 IQ：有源模式下為 50 μA;
       · 低壓降：200 mA 下為 230 mV。
       價格與供貨情況
       TPS728185315 LDO 現已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權分銷商進行定購。該器件采用 1 毫米 x 1.4 毫米 x 0.6 毫米 5 球柵 WCSP 與 6 引腳 2 毫米 x 2 毫米 SON 兩種封裝版本。