賽普拉斯半導體公司(Cypress)于近日推出了一款4-Mbit非易失性靜態隨機存儲器(nvSRAM)產品。這款新器件產品的特色包括15ns的快速存取時間、無限次讀取、寫入和調用循環、以及20年的數據保留期，適用于那些要求連續高速數據寫入和非易失性數據安全性的應用，包括RAID應用、嚴苛的環境下的工業控制設備以及汽車、醫療和數據通信系統內的數據記錄功能。
       nvSRAM可作為快速非易失性存儲器的替代產品。與需要備用電池的SRAM相比，nvSRAM能夠減少板卡占用空間并簡化設計，而且其經濟性和可靠性都要優于磁性存儲器(MRAM)或鐵電存儲器(FRAM)。這款新產品是賽普拉斯的nvSRAM系列中的產品，該系列還包括當前批量生產發運的256K和1Mbit nvSRAM型號的器件。預計，這一系列在2008年上半年還會再推出新產品。
       這款新4-Mbit nvSRAM產品采用賽普拉斯S8 0.13微米SONOS(硅氮氧化物硅)嵌入式非易失性存儲器技術制造的產品，實現了更高的密度，縮短了存取時間并提高了性能。作為SONOS工藝技術的者，賽普拉斯將在下一代PSoC混合信號陣列、OvationONS激光導航傳感器、可編程時鐘和其它產品中應用該項技術。SONOS對標準CMOS技術具有極高的兼容性，并具備了高耐用性、低功率和耐輻射性等眾多優點。