飛思卡爾半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體公布了雙方聯(lián)手開發(fā)汽車用半導(dǎo)體的進(jìn)展情況。兩公司于2006年2月宣布開始進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)。預(yù)定于2008年季度開始樣品供貨初的成果——聯(lián)合開發(fā)的MCU。該MCU采用90nm工藝制造。
      
       在宣布將展開聯(lián)合開發(fā)后，兩公司一直在致力于基于“Power”架構(gòu)的、包括動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、底盤、馬達(dá)控制及車身系統(tǒng)在內(nèi)的車載應(yīng)用產(chǎn)品的開發(fā)。另外，兩公司還表示一直在設(shè)計(jì)、制造90nm工藝嵌入閃存的測(cè)試芯片。參與聯(lián)合開發(fā)的工程師大約有130名，這些工程師在兩公司位于意大利那不勒斯、那不勒斯米蘭郊外的Agrate、巴西圣保羅及印度新德里的設(shè)計(jì)中心進(jìn)行相關(guān)工作。
      
       “不僅能夠?qū)晒驹诋a(chǎn)品及工藝技術(shù)方面的能力結(jié)合起來，而且還可實(shí)現(xiàn)雙來源的產(chǎn)品供應(yīng)，這一點(diǎn)也備受汽車業(yè)界關(guān)注。我們計(jì)劃在2008年上半年開始供應(yīng)4種新產(chǎn)品。另外，還預(yù)定在2年內(nèi)完成與可定標(biāo)MCU設(shè)計(jì)相關(guān)的綜合性開發(fā)計(jì)劃”。
      
       “我們一直在進(jìn)行高效合作的領(lǐng)域之一是嵌入閃存的開發(fā)。目前正在對(duì)基于90nm嵌入閃存技術(shù)的初測(cè)試芯片進(jìn)行評(píng)測(cè)，到目前為止結(jié)果良好。預(yù)定向用戶提供具備完全可定標(biāo)性的解決方案，此方案內(nèi)容涉及在車身應(yīng)用領(lǐng)域成本效率較高的閃存內(nèi)置型MCU，乃至先進(jìn)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)以及面向底盤系統(tǒng)的高性能產(chǎn)品”。
      
       除此之外，聯(lián)合開發(fā)成果還包括近發(fā)表的通用MCU架構(gòu)的平臺(tái)設(shè)計(jì)。通過使用面向特定應(yīng)用優(yōu)化后的周邊電路組件，可同時(shí)派生出多種產(chǎn)品。利用該方法能夠縮短產(chǎn)品投放市場(chǎng)的前導(dǎo)時(shí)間，能比較容易地實(shí)現(xiàn)兩公司“將Power架構(gòu)應(yīng)用于車載用MCU”的目標(biāo)。