日前，設計與制造面向可推動移動通信的應用的高性能射頻系統與解決方案的RF Micro Devices,Inc.宣布，該公司在6月5-7日于夏威夷、檀香山舉行的2007年IEEE MTT-S國際微波研討會上展出用于無線基礎設施的新系列GaAs pHEMT低噪聲放大器(LNA)，并展示其面向商業及軍事應用的GaN高功率產品。
      
       RFMD將展出RF386X系列LNA，該系列器件是蜂窩及WiMAX基礎設施市場的理想選擇。這些新型寬帶LNA提供了700MHz～3800MHz的功能，并且完美結合了比同類競爭解決方案更出色的噪聲與線性。RF386X系列LNA非常適用于面向CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN及WiMAX應用的階段低噪聲及線性驅動放大。
      
       此外，RFMD還將在自己展臺主持兩場RF產品演示，充分展示采用其代48VGaN晶體管技術的RF產品。
      
       首先，RFMD將展示RF3934的RF功率性能，這是RFMD RF393X產品系列中的一款48V GaN 120W功率晶體管。RF393X產品系列可提供10W～120W的功率性能以及超寬的可調帶寬—展示了GaN技術提供的高功率與帶寬的出色組合，該技術遠勝于競爭的GaAs及硅技術。RF393X系列可提供極高的峰值效率，并且適用于廣播、蜂窩無線基礎設施、高功率雷達、航天及航空電子等應用。
      
       其次，RFMD將展示RF3825的RF功率性能，這是RFMD RF382X產品系列中的一款28V GaN 10W寬帶功率IC。RF3825在225MHz～1800MHz的頻率范圍內提供功率性能，是RF382X產品系列中帶寬寬的產品。在比同類競爭解決方案更小的單個解決方案中，RF3825在多個倍頻程中展示了10W功率性能。RF382X系列在工作帶寬中提供了極高的峰值效率，非常適用于3G蜂窩基礎設施、軍用通信、軟件可定義無線電(SDR)及公共移動無線電等應用。
      
       此外，該公司還將展出高整合度RF解決方案系列，其中包括用于GSM/GPRS、EDGE、CDMA及WCDMA手機的RFMD業界蜂窩前端，用于GSM/GPRS及EDGE手機的POLARIS TOTAL RADIO RF解決方案，WLAN前端，以及基于軟件的GPS解決方案。