由于超紫外線光刻技術(extreme ultraviolet，EUV)的發展遲緩，Intel透露正在開發一種可能將光學掃描儀擴展到22納米制造節點的可制造性設計。
      
       Intel正在開發的這種計算光刻(computational lithography)是一種反向光刻技術。反向光刻、EUV和兩次圖形曝光技術是Intel正在為22納米制造節點進行評估的光刻技術。
      
       自1980年代以來，反向光刻技術得到多家機構的開發，有望取代光學臨近矯正(optical proximity correction, OPC)。 反向光刻技術可能使EUV技術不再有用，而且EUV由于技術問題發展已經落后。
      
       Intel指望在2011年22納米制造節點芯片開發中使用EUV技術。 EUV工具要到22納米制造節點后期才能提供，而且成本昂貴，需要7000萬到1億美元。