由于超紫外線光刻技術(shù)(extreme ultraviolet，EUV)的發(fā)展遲緩，Intel透露正在開發(fā)一種可能將光學(xué)掃描儀擴(kuò)展到22納米制造節(jié)點(diǎn)的可制造性設(shè)計(jì)。
      
       Intel正在開發(fā)的這種計(jì)算光刻(computational lithography)是一種反向光刻技術(shù)。反向光刻、EUV和兩次圖形曝光技術(shù)是Intel正在為22納米制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)行評估的光刻技術(shù)。
      
       自1980年代以來，反向光刻技術(shù)得到多家機(jī)構(gòu)的開發(fā)，有望取代光學(xué)臨近矯正(optical proximity correction, OPC)。 反向光刻技術(shù)可能使EUV技術(shù)不再有用，而且EUV由于技術(shù)問題發(fā)展已經(jīng)落后。
      
       Intel指望在2011年22納米制造節(jié)點(diǎn)芯片開發(fā)中使用EUV技術(shù)。 EUV工具要到22納米制造節(jié)點(diǎn)后期才能提供，而且成本昂貴，需要7000萬到1億美元。