富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)宣布其2Mbit FRAM內存芯片已開始供貨上市，該產品號稱為目前全球可量產的容量FRAM組件。
       富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內建非揮發性內存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點，適用于汽車導航系統、多功能打印機、測量儀器及其它需使用非揮發性內存來儲存各種參數、記錄設備操作條件與保存安全信息的各項高階應用。
       FRAM組件的高速資料寫入和大量寫入周期功能，非常適合辦公設備中儲存事件計數或參數，以及記錄各種事件等用途。FRAM組件可提供100億次的讀/寫周期，相當于以每秒寫入30次的速率連續寫入10年。此外，FRAM組件不需電池即可儲存資料達10年以上。即使當儀表設備等應用面臨電源臨時中斷之情況，富士通的FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM組件，而不會損失任何重要資料。
       MB85R2001芯片組態為256K字數×8位；MB85R2002芯片組態為128K字數×16位。此兩種格式的讀取時間均為100ns，讀/寫周期則為150ns，操作電壓則介于3V到3.6V之間。
       相比于以電池供電的SRAM組件，FRAM無需使用電池的優勢，可讓顧客簡化生產流程，并省去更換電池及產品維護的麻煩。與富士通其它所有的FRAM組件一樣，MB85R2001和MB85R2002藉由減少材料使用量，以符合環保相關國際法規。
       新款的2Mbit FRAM組件與目前富士通正量產的1Mbit FRAM組件——MB85R1001和MB85R1002，具備相同的電氣特性，并采用TSOP-48封裝方式。只需增加連接一個地址，顧客即可將1Mbit FRAM組件轉移至2Mbit的組件上。因此，顧客可根據所需的內存容量，在同一塊印刷電路板上選擇使用1Mbit或2Mbit的FRAM組件。