安森美半導體（Onsemi）宣布，將其先進的制造工藝技術擴大到HighQ?硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務領域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創新的8英寸晶圓技術比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。
      
       安森美半導體的HighQ? IPD工藝技術是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應用，高性能等于延長電池壽命。
      
       位于美國的安森美半導體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具有高水平的原型和生產周期，高科技產品生產和故障分析設備和系統。
      
       HighQ?制造工藝制造出銅鍍層厚實的電感器、MIM 電容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 電阻器(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評估標準，顯示了該方案的穩健。
       ? 加工溫度-65°C/150°C
       ? 金屬、Vias 和 MIM電容器上固有的穩定性
       ? 高溫反位相（Op）壽命(150°C, 504 小時)
       ? 額定ESD：HBM, MM
      
       HighQ?制造工藝是不平衡變換器、濾波器和濾波器/耦合器等用于便攜和無線應用產品的選擇。
      
       安森美半導體目前正在開發HighQ?高帶寬濾波器系列，用于在高速串行接口上降低電磁干擾（EMI）。樣品將于今年夏季推出，計劃在第四季度生產。
      
       安森美半導體為制造服務的客戶提供用于IPD技術的設計組件，能夠有效仿真的硅方案結果，并包含標準的Cadence?設計工具：
       ? PCELL 生產器、Views等；
       ? Cadence Assura DRC、LVS；
       ? 帶有安捷倫ADS模型的 Cadence RFDE 環境；
       ? 從布局到HFSS仿真環境全自動轉化。