特許半導體(Chartered Semiconductor Manufacturing Pte. Ltd.)開始制造Tezzaron Semiconductor公司的內存芯片。此外，兩個公司一起準備制造Tezzaron公司的3D產品。
      
       特許半導體正采用0.13微米工藝制造Tezzaron的3T-iRAM系列2D 72Mbit內存產品，這種產品采用專利技術模擬SRAM，比SRAM更快、耗電更少，適于電信和數據通信設備。
      
       Tezzaron也在開發稱為FaStack的3D產品，支持將稱為Super-Contacts的thru-silicon互聯功能嵌入每塊晶片的電路中，然后晶片以0.5微米的精度對齊、綁定形成單獨的產品。
      
       采用這種方法制造的產品將為72Mbit內存，兩片疊合起來形成144Mbit的SRAM替代產品。