日前，設(shè)計與制造面向可推動移動通信的應(yīng)用的高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的RF Micro Devices, Inc.(RFMD)宣布推出RF393X系列48V氮化鎵(GaN)功率晶體管。RF393X產(chǎn)品系列可提供10W～120W的功率性能以及超寬的可調(diào)帶寬，該技術(shù)勝于GaAs及硅LDMOS同類競爭技術(shù)。

       RFMD的RF393X產(chǎn)品系列由五個48V GaN非匹配功率晶體管組成，在2.1GHz時每個均可提供14dB～16dB的增益以及超過65%的高峰值漏極效率。RFMD GaN功率晶體管的性能使它們非常適用于寬帶、高效功率放大器應(yīng)用，例如廣播電視、無線基礎(chǔ)設(shè)施、高功率雷達、航天及航空電子。RFMD估計，GaN高功率半導(dǎo)體的總體現(xiàn)有市場約為10億美元，其中GaN非匹配功率晶體管市場約為1.5億美元。該公司目前與多個市場中的客戶進行配合，預(yù)計將于2007年下半年開始進行生產(chǎn)。

       RFMD正在開發(fā)三種高電壓GaN產(chǎn)品系列。除GaN功率晶體管外，該公司還正在開發(fā)高功率GaN RF集成電路(RFIC)及高功率GaN匹配晶體管。高功率GaN RFIC為完全匹配的高功率放大器，可在帶寬的多個倍頻程中提供高效率，并且適用于軍用通信、公共移動無線電及軟件定義無線電(SDR)等應(yīng)用。高功率GaN匹配晶體管包括可改進阻抗及效率的內(nèi)部匹配元件，并且適用于高功率雷達以及面向WCDMA及WiMAX的基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用。