英特爾計劃于2009年開始推出采用32納米技術(shù)節(jié)點的三閘級晶體管。憑借這個新的三維晶體管架構(gòu)，英特爾希望能夠在提高產(chǎn)品性能的同時，降低產(chǎn)品功耗。在夏威夷舉行的工藝及元件技術(shù)國際會議的前，英特爾公布了其研究多年的該晶體管的詳細(xì)情況。       

       據(jù)英特爾零部件研究部總監(jiān)Mike Mayberry透露，英特爾已經(jīng)成功地把高K電介質(zhì)、金屬柵電極以及應(yīng)變硅整合到這個新的晶體管中。他說：“到2010年，英特爾將可以開始使用新的三閘級晶體管建造芯片，這種三閘級晶體管與現(xiàn)有65納米工藝的晶體管相比，要么可以提高45%的速度，要么可以減少35%的總功耗。       

       產(chǎn)品在技術(shù)上的進步可能會成為產(chǎn)品促銷的工具。功效是從大功率服務(wù)器到移動膝上型電腦和手持個人數(shù)字助理等個人電腦領(lǐng)域里芯片的一個關(guān)鍵賣點。       

       英特爾的這項新技術(shù)還可能會進一步延伸摩爾定律。Mayberry說：“這將是采用45納米或更小的32納米或22納米工藝生產(chǎn)芯片的一種選擇，這給了我們信心，繼續(xù)把摩爾定律延伸至下一個十年?！薄?

       英特爾表示，今年第三季度公司將生產(chǎn)更多的采用65納米工藝的芯片，2007年公司將向45納米,2009年將向32納米工藝移植。