北京時間6月13日消息，據國外媒體報道，英特爾技術研發團隊表示，通過三門(tri-gate)晶體管及其他系列新技術，將有助于進一步壓縮晶體管體積，進而開發出下一代高處理能力芯片。

       英特爾技術研發人員稱，憑借三門絕緣、高介電值雙電子(high-k gate dielectrics)、金屬電極及應變硅(strained silicon)等新技術，公司在進一步壓縮晶體管體積的同時，還可進一步提高處理性能并防止電流泄漏。英特爾部件研發和技術部門主管兼制造部門副總裁邁克·梅伯里(Mike Mayberry)表示，隨著晶體管節點設備變得越來越小，上述新技術確實能解決諸多技術難題。若按照傳統方式，在晶體管體積縮小時將消耗更多電能，而且很難對其實施控制。

       梅伯里稱，雖然英特爾可馬上將上述新技術投入生產，但目前還不打算這樣做，而計劃等到2009年公司轉入32納米工藝或2011年轉入22納米工藝時再投入使用。他說：“目前這些技術已達到成熟階段，因此已可當作產品開發的技術選擇。”梅伯里接著表示，自2002年以來，英特爾就一直在研發三門晶體管技術，如今又成功開發出高介電值雙電子及應變硅等技術。

       市場調查公司IC Insights技術副總裁特雷弗·燕西(Trevor Yancey)表示，三門技術意在解決晶體管縮小時所導致的電能消耗和控制問題，但由于應變硅技術取得重大進展，三門技術的開發因此而一度延遲。燕西接著表示，應變硅技術只著眼于近期發展，而不是全新的變革。他說：“集成電路制造商更愿意使用演進性而不是革命性技術，多門晶體管是一項變革性技術。”燕西認為，應變硅技術今后將發揮重要作用，三門技術也將有其用武之地。

       英特爾稱，與目前的65納米晶體管相比，三門技術將使芯片處理速度提高45%，電能消耗減少35%。市場調查公司Gartner副總裁馬丁·雷諾茲(Martin Reynolds)表示，如果晶體管體積變小，要讓它們正常工作的難度也將越來越大。他接著表示，英特爾三門技術中的關鍵之處就在于引進了三維(3D)架構,從而能保持硅的流動。(明月)