賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)近日宣布推出非易失性SRAM(nvSRAM)，該存儲器在斷電情況下，無需電池就能實現內部數據存儲。由于不再需要外部電池，因此Cypress提供的符合RoHS標準的高速器件比其他備選解決方案所采用的封裝尺寸更小。nvSRAM理想適用于要求連續高速數據寫入且確保非易失數據安全的任何應用，如獨立磁盤冗余陣列(RAID)應用、復印機、PoS終端、手持式儀表和消費類電子產品等。 
       賽普拉斯的nvSRAM采用外部電容上存儲的電荷而不是電池供電，從而，我們就可以采用標準PCB組裝工藝來制造該器件，從而大大節約成本。該器件少能保存數據20年之久。nvSRAM具有極短的存取時間(25ns)，可提供1MB/3V、256KB/3V、256KB/5V、64KB/5V和16KB/5V等各種配置。該器件具有高度可擴展性，所有配置均采用32引腳SOIC封裝，而1MB和256KB版還提供48引腳SSOP封裝。 
       賽普拉斯負責非易失存儲器的副總裁Tom Surrette指出：“作為在SRAM和非易失存儲器領域長期的者，Cypress已占據有利地位。憑借其高速和小型封裝，以及其高可靠性和便于集成到客戶的制造流程中，nvSRAMs正迅速贏得市場的肯定。” 
       在RAID應用中，nvSRAM在提供高速數據傳輸的同時還能確保斷電情況下的數據完整性。對復印機而言，nvSRAM提供了較快的數據存取速度，不再需要電池。手持式儀表也受益于nvSRAM提供的數據緩存功能，能快速存取上傳到服務器的數據。
　　
供貨情況 
       Cypress的nvSRAM系列目前已提供樣品，預計于2006年6月開始投產。批量為1000片時，16KB nvSRAM器件的單價不足7美元。