東芝公司日前表示，計劃三年內投資180億美元，一半用于半導體，主要是擴充NAND閃存產量。東芝總裁兼首席執行官Atsutoshi Nishida表示，將增加NAND閃存產量，將兩座新工廠的產能擴大至兩倍。

4月初，東芝及其NAND合作伙伴SanDisk Corp.披露了Fab 4的計劃。Fab 4將月產10萬片晶圓，預計2007年第四季度開始運作。東芝還確認了在別處興建第二座生產廠Fab 5的計劃。

Fab 5預計將于2008年財年開始運作，東芝和SanDisk將分享所有權。

對于可能產能過剩的擔心，Nishida回應說：“盡管我們半導體預算約有1萬億日元，我們將根據市場狀況決定實際投資額。但我們的產能根據對NAND未來需求的預計將嚴重短缺。”

東芝預計NAND閃存市場將在2008年由今年的170億美元增至230億美元。電子設備的銷售預計將年增18%，由當前財年的146億美元增長至2008財年的206億美元。