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      中芯國(guó)際將轉(zhuǎn)向IDM?2-Gbit閃存芯片已出爐

      更新時(shí)間: 2006-05-18 14:28:48來(lái)源: 粵嵌教育瀏覽量:604

             分析師透露,中國(guó)晶圓代工廠(chǎng)商中芯國(guó)際計(jì)劃新興一家300毫米工廠(chǎng),而且可能進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整,轉(zhuǎn)向IDM模式。據(jù)一份來(lái)自市場(chǎng)調(diào)研公司Semico Research Corp.的電子郵件快報(bào):“該公司在北京新建了一家300毫米工廠(chǎng),而且正在上海興建另一家300毫米工廠(chǎng)?!敝行緡?guó)際一直在提升其在北京的300毫米工廠(chǎng)的產(chǎn)量,同時(shí)它在上海擁有幾家8英寸工廠(chǎng)。Semico公司的分析師Joanne Itow表示,中芯國(guó)際計(jì)劃在上海興建名為“Fab 8”的300毫米工廠(chǎng),用于生產(chǎn)邏輯芯片。該廠(chǎng)計(jì)劃采用90和65納米工藝。她說(shuō):“可能在2007年投產(chǎn)?!?/P>

             同時(shí),分析師想知道中芯國(guó)際是否正在從純粹的晶圓代工模式轉(zhuǎn)向IDM模式。中芯國(guó)際在1月份決定在Saifun Semiconductors Ltd.的幫助下進(jìn)入存儲(chǔ)卡市場(chǎng)。中芯國(guó)際擴(kuò)展了許可范圍,以利用Saifun公司的氧氮化物閃存技術(shù),使其能夠開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)存儲(chǔ)卡。中芯國(guó)際公司近的財(cái)報(bào)暗示出公司正在進(jìn)行NAND閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

             “NAND閃存開(kāi)發(fā)工作在按計(jì)劃進(jìn)行,將在6月提供工程樣品,已在季度成功地生產(chǎn)出2-Gbit芯片?!盨emico公司的上述快報(bào)表示?!爸行緡?guó)際計(jì)劃在今年第四季度開(kāi)始商業(yè)生產(chǎn)。”快報(bào)表示,此舉“暗示中芯國(guó)際將從純粹的晶圓代工廠(chǎng)商變成IDM?!?/P>

             “他們?nèi)韵氤洚?dāng)純粹的晶圓代工廠(chǎng)商。”Itow表示?!八麄冋谠噲D確定在閃存業(yè)務(wù)方面采取什么策略?!敝行緡?guó)際正在研究幾項(xiàng)可能的方案,可能分拆閃存業(yè)務(wù)、建立伙伴關(guān)系,或者把該業(yè)務(wù)出售給一家模塊制造商。中芯國(guó)際公司閃存的開(kāi)發(fā)時(shí)間之快讓人印象深刻,更引人注目的是它采用了Saifun半導(dǎo)體公司的NROM 的閃存技術(shù),許多Saifun的合作伙伴都已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這一技術(shù)很難掌握,尤其是那些向NROM轉(zhuǎn)化,尚未建立標(biāo)準(zhǔn)閃存制造工藝的公司。

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