NEC電子（NEC Electronics）日前宣布，該公司的DRAM混載SoC被任天堂的新型家庭游戲機“Wii”采用。該SoC是一種圖形處理LSI，產自NEC山形工廠的300mm晶圓生產線。
       NEC電子通過在標準邏輯工藝（Logic Process）結構上形成堆棧式電容器，成功地制造出DRAM混載的SoC。為了形成該電容器，該公司開發出了“在兩個電容電極間插入高介電常數材料的技術”和“在以小面積保持多電荷的基礎上、維持充電不少于電氣泄漏的電容器形成技術”。
       具體來說，該公司（1）在DRAM部的存儲單元的電極上采用了使用金屬的金屬注射成型(MIM）結構，以期降低電阻值。（2）在DRAM的晶體管的柵極、源極、漏極上部使用鈷硅化物（Cobalt Silicide），提高晶體管的驅動能力。（3）電容膜的材料采用氧化鋯（Zirconium Oxide），增大單位面積的電容。