隨著近幾年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的半導(dǎo)體硅材料行業(yè)在下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下也取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，尤其在硅片及封裝材料方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)都有所作為。
200毫米硅片材料期待產(chǎn)業(yè)化
目前，全球半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)由8英寸硅片的0.25微米技術(shù)向12英寸硅片的0.13微米-0.10微米技術(shù)轉(zhuǎn)移，對(duì)12英寸硅片的市場(chǎng)需求正逐步擴(kuò)大。通過(guò)對(duì)0.13微米-0.10微米集成電路用12英寸硅片的開發(fā)，不但可以滿足市場(chǎng)需求，占領(lǐng)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)，而且可以在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，使我國(guó)的硅材料工業(yè)處于世界先進(jìn)水平。
與之相適應(yīng)的是，近年來(lái)，中國(guó)單晶硅產(chǎn)量明顯穩(wěn)步增長(zhǎng)。在硅單晶拉制和硅片加工方面，我國(guó)建立了直徑100毫米-150毫米的硅片生產(chǎn)線，在200毫米直拉硅單晶的研制方面也有所突破。
由有研半導(dǎo)體材料股份有限公司(簡(jiǎn)稱有研硅股)承擔(dān)的“直徑12英寸硅單晶拋光片和外延片課題”已攻克了12英寸硅單晶生長(zhǎng)工藝和硅片切、磨、拋、清洗以及檢測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)難題，開發(fā)出從單晶生長(zhǎng)到晶片加工和檢測(cè)的成套技術(shù)。利用該技術(shù)制備的12英寸硅單晶拋光片能夠滿足0.13微米集成電路的要求，并提供一定數(shù)量的12英寸硅單晶拋光片樣片。今年，他們將進(jìn)行12英寸硅單晶拋光片的產(chǎn)業(yè)化工作，在此基礎(chǔ)上他們還將繼續(xù)擴(kuò)大規(guī)模，生產(chǎn)滿足90納米集成電路所需的12英寸硅單晶拋光片，開發(fā)12英寸外延片等硅基材料。此外，他們還將擴(kuò)大6英寸、8英寸重?fù)揭r底片及大功率器件所需區(qū)熔硅片的生產(chǎn)規(guī)模。
立立電子在2003年與浙大硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作完成了被列為科技部863計(jì)劃重大專項(xiàng)的12英寸單晶硅課題項(xiàng)目。該項(xiàng)目的研制成功，為研制12英寸及更大直徑硅外延片打下了基礎(chǔ)，對(duì)推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。該公司董事長(zhǎng)李立本介紹說(shuō)，未來(lái)5年，立立電子擬投入5億-7億元技術(shù)改造資金，提高重?fù)絾尉Ч桢V產(chǎn)量和硅外延片生產(chǎn)規(guī)模，建立中國(guó)的具有國(guó)際影響力的年產(chǎn)300噸4英寸-8英寸重?fù)絾尉Ч桢V和480萬(wàn)片4英寸-8英寸重?fù)较盗泄钂伖馄?50萬(wàn)片4英寸-8英寸重?fù)较盗泄柰庋悠纳a(chǎn)基地，分別占全球市場(chǎng)規(guī)模的2.3%和3.5%?？毓勺庸竞贾萘弘娮佑邢薰緦⑿纬?0萬(wàn)片6英寸功率芯片的生產(chǎn)基地。他還充滿信心地強(qiáng)調(diào)，屆時(shí)公司年銷售規(guī)模將達(dá)到8億-10億元，成為全球半導(dǎo)體材料行業(yè)排名前十位的知名供應(yīng)廠商，并力爭(zhēng)在之后的20年-30年內(nèi)成長(zhǎng)為全球半導(dǎo)體材料的制造商。
鍵合金絲已95%國(guó)產(chǎn)化
作為半導(dǎo)體封裝的四大基礎(chǔ)材料之一的鍵合金絲，是芯片與框架之間的內(nèi)引線，是生產(chǎn)集成電路的專用材料。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)副秘書長(zhǎng)袁桐告訴記者，由于國(guó)內(nèi)人力和資源的優(yōu)勢(shì)，鍵合金絲的生產(chǎn)在國(guó)際上有一定的地位。目前，國(guó)內(nèi)集成電路生產(chǎn)線所用鍵合金絲95%以上都已國(guó)產(chǎn)化，還有部分出口。
集成電路向體積小、多功能、高密集、多芯片封裝方向的發(fā)展，對(duì)鍵合金絲的要求越來(lái)越高：隨著封裝引腳數(shù)的增多，引腳間距的減少，所用金絲線徑越來(lái)越小，對(duì)焊接材料要求越來(lái)越嚴(yán)格，在鍵合工藝過(guò)程中，更易出現(xiàn)引線斷裂現(xiàn)象；隨著超細(xì)間距的球形鍵合工藝的發(fā)展，器件的包封密度的要求越來(lái)越高，鍵合金絲的強(qiáng)度要求也越來(lái)越高；隨著鍵合弧度不斷降低，對(duì)鍵合金絲成弧能力的要求也隨之提高，要求有弧度低、弧形長(zhǎng)的金絲。因此必須有細(xì)線徑、高強(qiáng)度、低弧度、長(zhǎng)弧形，并保持良好導(dǎo)電性的金絲滿足要求，這就為鍵合金絲生產(chǎn)企業(yè)提出了新課題。
目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有不少企業(yè)在為適應(yīng)這個(gè)要求而努力著。賀利氏招遠(yuǎn)貴金屬材料有限公司相關(guān)人士表示，他們正在致力于細(xì)線徑、高強(qiáng)度、低弧度、長(zhǎng)弧形、高可靠性金絲的開發(fā)制造工作。該負(fù)責(zé)人還強(qiáng)調(diào)，他們還將加速鍵合銅絲、純鋁絲的產(chǎn)業(yè)化工程。他解釋說(shuō)，銅絲球焊接技術(shù)是目前國(guó)際上正在進(jìn)行開發(fā)研究的一種用于微電子器件芯片與內(nèi)引線連接的新技術(shù)。與現(xiàn)行的金絲球焊接技術(shù)相比，不僅可以節(jié)省黃金、降低成本、便于焊接過(guò)程自動(dòng)化，而且可以減緩脆性金屬化合物的形成，提高鍵合強(qiáng)度，采用銅絲鍵合新工藝不但能降低器件制造成本，而且其互連強(qiáng)度比金絲還要好。因而，在今后的微電子封裝發(fā)展中，銅絲焊將會(huì)成為主流技術(shù)。銅絲與傳統(tǒng)的晶片上鋁金屬化焊區(qū)的鍵合，可降低成本，使高產(chǎn)、細(xì)間距封裝的焊絲更牢固和堅(jiān)硬，具有廣闊的市場(chǎng)前景。
國(guó)內(nèi)另外一家集引線框架與鍵合金絲生產(chǎn)于一身的企業(yè)寧波康強(qiáng)近年來(lái)也取得不俗業(yè)績(jī)。2004年公司銷售收入增長(zhǎng)60.79%，2005年增長(zhǎng)37.25%，一舉突破4億元。近兩年他們加大技術(shù)創(chuàng)新力度，取得了顯著成績(jī)：完成省重點(diǎn)科研項(xiàng)目，2004年生產(chǎn)鍵合金絲650公斤，2005年增加到1210公斤，成為全國(guó)同行第二；完成火炬計(jì)劃項(xiàng)目，年新增集成電路引線框架10億只；基本完成國(guó)家創(chuàng)新基金/電子信息發(fā)展基金項(xiàng)目：國(guó)內(nèi)首創(chuàng)IC卡卡芯蝕刻生產(chǎn)線及產(chǎn)品，。
該公司主要負(fù)責(zé)人介紹說(shuō)，今后，康強(qiáng)電子將加大投資力度，做強(qiáng)做大微電子封裝材料生產(chǎn)規(guī)模，保持國(guó)內(nèi)，五年進(jìn)入全球前列，銷售收入達(dá)到10億元以上。
除了鍵合金絲及引線框架，作為很重要的封裝材料之一的環(huán)氧塑封料近年來(lái)在國(guó)內(nèi)的發(fā)展也頗受關(guān)注。國(guó)內(nèi)的環(huán)氧塑封料生產(chǎn)企業(yè)華威公司負(fù)責(zé)人表示，公司將進(jìn)一步加強(qiáng)科技開發(fā)，加大技術(shù)創(chuàng)新、調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，在滿足國(guó)內(nèi)主流市場(chǎng)SOP、TSOP、SSOP、QFP、TQFP、BGA等產(chǎn)品需求的基礎(chǔ)上，研究開發(fā)MCM、3D、SIP、MEMS等新型封裝材料，并加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究工作，實(shí)現(xiàn)成果產(chǎn)業(yè)化，以新產(chǎn)品、新技術(shù)搶占市場(chǎng)。
專家觀點(diǎn) 應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)實(shí)行優(yōu)惠稅政策
袁桐 中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)副秘書長(zhǎng)
近幾年，我國(guó)出臺(tái)了許多促進(jìn)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的優(yōu)惠政策，但這些優(yōu)惠政策的制定頒布，主要為整機(jī)、集成電路、軟件產(chǎn)業(yè)所享受，進(jìn)口原材料關(guān)稅倒掛或零關(guān)稅的條款，使國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展困難重重。如多晶硅原料進(jìn)口要繳關(guān)稅，而進(jìn)口硅拋光片實(shí)行零關(guān)稅，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)硅片價(jià)格難與進(jìn)口硅片競(jìng)爭(zhēng)，特別是2004年以來(lái)多晶硅原料出現(xiàn)的供不應(yīng)求，國(guó)外供應(yīng)商大幅度漲價(jià)，進(jìn)口多晶硅不但價(jià)格暴漲，還需繳進(jìn)口關(guān)稅。雖然國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料價(jià)格較國(guó)外進(jìn)口仍然算低的，但長(zhǎng)此以往，不利于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。國(guó)家應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)實(shí)行稅收優(yōu)惠政策，使國(guó)內(nèi)企業(yè)和國(guó)外同行真正站在同一起跑線上競(jìng)爭(zhēng)。
李珂 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)信息交流部主任
雖然18號(hào)文件中對(duì)單晶硅片給予了與集成電路同樣的優(yōu)惠政策，但是對(duì)于集成電路生產(chǎn)所需的各類設(shè)備和其他材料卻并未納入政策優(yōu)惠的范圍，不僅如此，文件中還規(guī)定：“集成電路生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口自用生產(chǎn)性原材料、消耗品，免征關(guān)稅和進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅，企業(yè)引進(jìn)集成電路技術(shù)和成套生產(chǎn)設(shè)備，單項(xiàng)進(jìn)口的集成電路專用設(shè)備與儀器，免征進(jìn)口關(guān)稅和進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅?！边@使國(guó)產(chǎn)集成電路設(shè)備和材料與國(guó)外產(chǎn)品在價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)大大縮小，特別是在附加值較低的半導(dǎo)體材料產(chǎn)品上，這一影響更為明顯，個(gè)別國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料甚至比同類進(jìn)口產(chǎn)品的價(jià)格還要高。
這一對(duì)國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備和材料廠商給予的“超國(guó)民待遇”無(wú)疑對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備與材料行業(yè)發(fā)展帶來(lái)了極大的阻力。目前這一政策所帶來(lái)的負(fù)面影響主要表現(xiàn)在兩個(gè)方面：一、抑制投資。由于國(guó)內(nèi)生產(chǎn)不具有成本優(yōu)勢(shì)，因此很多國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備和材料廠商在經(jīng)過(guò)考察后放棄了在我國(guó)投資設(shè)廠的計(jì)劃，支撐業(yè)投資的冷清與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資的踴躍形成了鮮明的對(duì)比。二、扭曲貿(mào)易。目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商也開始采取先出口，再由集成電路生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口的方式來(lái)規(guī)避17%的增值稅。因此，為鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展而制定的政策卻在無(wú)形中成為阻礙國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體配套產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一道難以逾越的壁壘。
梁勝 北京市工業(yè)促進(jìn)局電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展處處長(zhǎng)
一條大型集成電路生產(chǎn)線的成本，幾乎一半來(lái)自對(duì)原、輔材料的消耗(包括硅片和各種化學(xué)試劑)，這些原、輔材料的來(lái)源，目前也基本上依靠進(jìn)口。而關(guān)稅倒掛現(xiàn)象使得我們和國(guó)外同行的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)日益縮小。要解決這個(gè)問(wèn)題，首先還是要靠政府，政府首先要看到這個(gè)問(wèn)題，然后認(rèn)識(shí)到這個(gè)問(wèn)題的嚴(yán)重性。有關(guān)部門應(yīng)該共同研究，通力合作，以有限的資源集中投入解決關(guān)鍵性、共性、基礎(chǔ)性問(wèn)題的原則，共同制定出綜合性的政策和措施。(來(lái)源：中國(guó)電子行業(yè)投資信息網(wǎng))