據國外媒體報道，近宣布將在"弱項"系統芯片領域投入3億美元的韓國三星電子并沒有在自己的"老本行"上有任何松懈。據公司高層透露，三星電子正在悄然研發32G和64G容量的NAND閃存產品，并采用對手東芝公司的多層單元技術。

       在日前舉行的一次會議上，三星半導體公司負責技術市場推廣的副總裁Jon Kang透露："我們已經設置了（研發）32G和64G閃存產品的團隊。"

       三星電子目前容量的NAND閃存產品是16G的，基于單層單元技術（Single Level Cell），使用55納米工藝生產。

       除了容量之外，在閃存技術上，三星電子也開始采用競爭對手日本東芝公司所使用的多層單元技術（Multi level Cell）。這種技術生產的閃存產品要比單層單元技術的便宜三成左右。據美國媒體報道，三星電子已經擁有一條多層單元生產線，可以生產容量8G的閃存產品，制造工藝為60納米。

       Jon Kang表示，三星電子估計今年全球NAND閃存市場將以20％到30％的速度增長，他甚至矢言："閃存現在是三星的技術驅動力。"

       除了NAND閃存"原料"生產之外，三星電子也在積極探求下游產品的研發。今年3月份，三星電子發布了一款容量為32G的固態硬盤，完全使用其NAND閃存。這種存儲設備比傳統硬盤具有更小的體積和更快的存取速度，業界普遍認為未來固態硬盤將取代現有的磁盤。

       另據韓國媒體本周報道，三星電子將在本月底召開的微軟硬件工程師2006大會上，展示一款成熟的混合硬盤。混合硬盤結合了閃存和磁盤，可以加快數據存取和系統啟動時間。明年上市的Windows

       Vista操作系統將支持這款三星和微軟共同研發的混合硬盤。