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      DRAM:三星、海力士調(diào)高快閃晶片售價,勁永、創(chuàng)見齊漲

      更新時間: 2006-05-12 09:24:44來源: 粵嵌教育瀏覽量:572

            臺股今日開高震蕩,影響DRAM族群開盤走勢分歧,晨盤南科帶領(lǐng)勁永、鈺創(chuàng)、創(chuàng)見連袂開高,力晶、華邦電、茂矽開平,其余打落低檔開出;而受到南韓三星、海力士宣布調(diào)高快閃晶片售價,NAND價格透露需求回升的征兆,供給過剩紓解的利多激勵,昨日創(chuàng)見、勁永同步逆勢攀揚,今日勁永延續(xù)多頭氣勢,早盤以跳空漲停開出,而后漲幅持續(xù)于3%之上,攻勢凌厲;創(chuàng)見目前DRAM、Flash所占營收比重約5:5,DRAM產(chǎn)品中,DDR2 約占30%,DDR1約70%左右,早盤股價漲勢雖不及勁永強(qiáng)勁,但走勢穩(wěn)健,維持于63~63.1之間狹幅整理。三雄走勢分歧,南科股價維持小漲、力晶帶量小跌、茂德震蕩走低。
             即使首季FLASH價格大幅重挫,創(chuàng)見仍維持優(yōu)于同業(yè)水準(zhǔn)的穩(wěn)健表現(xiàn)。創(chuàng)見表示,內(nèi)部在三月底價錢很低時有作補貨動作,在4月價格上揚時出貨,使利潤提升,推估4月毛利率可望比季的9.32%水準(zhǔn),向上拉升。
            NAND FLASH價格呈現(xiàn)止跌攀揚態(tài)勢;其中NAND 16Gb上揚0.08%,2Gb上漲0.57%,至于4Gb、8Gb均為持平表現(xiàn)。

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