安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出SMART HotPlug系列新品NIS5112——集成自保護(hù)、可復(fù)位的電子保險(xiǎn)絲，采用內(nèi)置電荷泵驅(qū)動(dòng)高端N-通道FET。為用于12V系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，NIS5112為熱插拔應(yīng)用(如企業(yè)級(jí)硬盤(pán))提供一個(gè)高性價(jià)比的侵入電流限制解決方案。
        安森美半導(dǎo)體Smart HotPlug產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理Barry Brinkman說(shuō)："采用NIS5112，設(shè)計(jì)人員只需幾個(gè)低成本元件便可得到可靠的分流電路流限制集成解決方案。在該器件推出前，設(shè)計(jì)人員需采用多達(dá)11個(gè)不同元件的分立元件解決方案。"
        據(jù)介紹，NIS5112設(shè)計(jì)可以在12V背板上安全插拔設(shè)備，采用內(nèi)置SENSEFET，以廉價(jià)的電阻芯片替代較昂貴的低阻抗分流電路，實(shí)現(xiàn)有源限流功能。與可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換率耦合，NIS5112使設(shè)計(jì)人員可輕易地選擇在多種應(yīng)用中限流水平和輸出電壓的提升速率。NIS5112的輸入電壓范圍為9V到18V，典型值為30mΩ，且提供過(guò)壓保護(hù)，能在瞬流中運(yùn)行，保護(hù)負(fù)載。此器件也包含控制導(dǎo)通電壓、輸出電流、裸片溫度、導(dǎo)通di/dt和導(dǎo)通dV/dt，及啟動(dòng)/定時(shí)器功能的電路。它提供兩種限熱版本的穩(wěn)健熱保護(hù)電路，即自動(dòng)重試和鎖存關(guān)閉。
        NIS5112D1R2G(鎖存)和NIS5112D2R2G(重試)采用無(wú)鉛SO-8封裝，每2,500件的批量單價(jià)為1.15美元。目前可提供樣品。