臺(tái)系DRAM三雄茂德、力晶、南亞科，自2006年起快速將旗下晶圓廠制程技術(shù)，由原先的0.11微米～0.10微米制程技術(shù)，快速提升至90奈米制程技術(shù)，不過對(duì)于DRAM這項(xiàng)以市場(chǎng)占有率及制造成本為導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)，如不加緊腳步將制程技術(shù)導(dǎo)入下世代制程技術(shù)，未來(lái)恐被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手淘汰出局，為此DRAM三雄已確定2007年將制程技術(shù)決戰(zhàn)點(diǎn)提升至70奈米制程，為此，DRAM三雄當(dāng)務(wù)之急便是尋找資金來(lái)源，以便有充足彈藥與對(duì)手一較高低。
      　茂德位于臺(tái)中晶圓三廠技術(shù)移轉(zhuǎn)來(lái)自韓國(guó)DRAM大廠海力士（Hynix），導(dǎo)入制程技術(shù)則以90奈米制程技術(shù)為主，目前月產(chǎn)出量已達(dá)到9,000片12寸晶圓，而投片量到了4月為止，更已達(dá)到2萬(wàn)片左右，階段4萬(wàn)片產(chǎn)能目標(biāo)預(yù)計(jì)于2006年第二季便可提前達(dá)陣。而茂德的晶圓三廠到2006年第四季，制程技術(shù)將開始導(dǎo)入70奈米制程，預(yù)期到2007年第四季左右便可讓晶圓三廠全數(shù)改采70奈米制程，至于2006年6月將開始動(dòng)土的晶圓四廠，目前也規(guī)劃滿載月產(chǎn)能為4萬(wàn)片，初估會(huì)以60奈米制程技術(shù)量產(chǎn)。
      　力晶到2006年第二季將可開始大量采用90奈米制程技術(shù)，投產(chǎn)DRAM及NAND型快閃記憶體（Flash），董事長(zhǎng)黃崇仁指出，原本日本爾必達(dá)（Elpida）預(yù)計(jì)制程技術(shù)由原本的90奈米先行升級(jí)到80奈米制程技術(shù)后，再進(jìn)一步提高至70奈米制程，不過目前爾必達(dá)90奈米制程技術(shù)良率相當(dāng)不錯(cuò)，因此可不需經(jīng)過80奈米直接跳升至70奈米制程。預(yù)計(jì)2007年將與爾必達(dá)在力晶中科廠合作導(dǎo)入70奈米制程，并將用于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM等產(chǎn)品。黃崇仁日前便指出，中科12寸廠在2007年夏天完工后，便會(huì)采用70奈米制程技術(shù)投產(chǎn)，也不排除將采70奈米制程技術(shù)投產(chǎn)NAND型Flash產(chǎn)品。
      　南亞科3月中旬在泰山舉辦12寸晶圓三廠動(dòng)土典禮，總經(jīng)理連日昌便表示，該座晶圓廠將在2007年中裝機(jī)試產(chǎn)，階段月產(chǎn)目標(biāo)估計(jì)為2.4萬(wàn)片，并采用70奈米制程投產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，不過熟悉南亞科人士表示，目前進(jìn)度有機(jī)會(huì)大幅超前，而投產(chǎn)商品預(yù)計(jì)階段為1GB的DDRII，甚至不排除有可能切入量產(chǎn)DDRIII。
      　市場(chǎng)分析師表示，DRAM三雄不約而同地于2007年將采用70奈米制程技術(shù)投產(chǎn)，主要目的便是希望在DRAM價(jià)格變動(dòng)快速下，只要能夠?qū)⒊杀究刂频靡耍珼RAM廠大量產(chǎn)出也將會(huì)帶來(lái)相當(dāng)豐厚獲利。