臺系DRAM三雄茂德、力晶、南亞科，自2006年起快速將旗下晶圓廠制程技術，由原先的0.11微米～0.10微米制程技術，快速提升至90奈米制程技術，不過對于DRAM這項以市場占有率及制造成本為導向的產業，如不加緊腳步將制程技術導入下世代制程技術，未來恐被競爭對手淘汰出局，為此DRAM三雄已確定2007年將制程技術決戰點提升至70奈米制程，為此，DRAM三雄當務之急便是尋找資金來源，以便有充足彈藥與對手一較高低。
      　茂德位于臺中晶圓三廠技術移轉來自韓國DRAM大廠海力士（Hynix），導入制程技術則以90奈米制程技術為主，目前月產出量已達到9,000片12寸晶圓，而投片量到了4月為止，更已達到2萬片左右，階段4萬片產能目標預計于2006年第二季便可提前達陣。而茂德的晶圓三廠到2006年第四季，制程技術將開始導入70奈米制程，預期到2007年第四季左右便可讓晶圓三廠全數改采70奈米制程，至于2006年6月將開始動土的晶圓四廠，目前也規劃滿載月產能為4萬片，初估會以60奈米制程技術量產。
      　力晶到2006年第二季將可開始大量采用90奈米制程技術，投產DRAM及NAND型快閃記憶體（Flash），董事長黃崇仁指出，原本日本爾必達（Elpida）預計制程技術由原本的90奈米先行升級到80奈米制程技術后，再進一步提高至70奈米制程，不過目前爾必達90奈米制程技術良率相當不錯，因此可不需經過80奈米直接跳升至70奈米制程。預計2007年將與爾必達在力晶中科廠合作導入70奈米制程，并將用于生產標準型DRAM等產品。黃崇仁日前便指出，中科12寸廠在2007年夏天完工后，便會采用70奈米制程技術投產，也不排除將采70奈米制程技術投產NAND型Flash產品。
      　南亞科3月中旬在泰山舉辦12寸晶圓三廠動土典禮，總經理連日昌便表示，該座晶圓廠將在2007年中裝機試產，階段月產目標估計為2.4萬片，并采用70奈米制程投產標準型DRAM，不過熟悉南亞科人士表示，目前進度有機會大幅超前，而投產商品預計階段為1GB的DDRII，甚至不排除有可能切入量產DDRIII。
      　市場分析師表示，DRAM三雄不約而同地于2007年將采用70奈米制程技術投產，主要目的便是希望在DRAM價格變動快速下，只要能夠將成本控制得宜，DRAM廠大量產出也將會帶來相當豐厚獲利。