韓國三星公司剛剛宣布將更多內(nèi)存封裝到小尺寸空間的新技術(shù)。這種技術(shù)稱之為三維空間芯片封裝，它通過在內(nèi)存模塊上加入“通過矽”的連接，然后通過這種連接，將多個(gè)內(nèi)存模塊菊花型連接起來。韓國三星公司將這種新技術(shù)命名為“晶圓級的堆疊工藝”，簡稱WSP 。       

       現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝依賴于對印刷電路板的有線連接，這種有線連接需要互連之間存在空間，以消除干擾，但是在制造高密度內(nèi)存之時(shí)，這種空間會成為制約因素。三星電子今天宣布的“通過矽”的互相連接技術(shù)，本質(zhì)上是激光在內(nèi)存芯片之間打孔，然后以導(dǎo)體材料填充這些孔，以產(chǎn)生垂直互連效果。 

       韓國三星公司研究員設(shè)法在一個(gè)封包當(dāng)中堆積了8個(gè)2Gb NAND芯片。這種容量16Gb的NAND芯片高度只有半個(gè)毫米。這種技術(shù)將在年內(nèi)用在DRAM和多媒體控制器的生產(chǎn)上。手機(jī)、PDA和高密度服務(wù)器組件都將因此受益。如果這種WSP技術(shù)允許1個(gè)封裝當(dāng)中堆積256的模塊，那么三星公司不久前發(fā)布的NAND硬盤厚度將只有8個(gè)毫米。       

       然而3D封裝對芯片裝配來說，并非辦法。在相對慢的NAND模塊上，發(fā)熱量對3D封裝來說不是大問題，但是工作溫度更高的高速DRAM來說，近期不大可能采用三星公司的這種WSP或者其它3D封裝技術(shù)。