美國硅谷一家公司１９日宣布開發出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。

這家名為“統一半導體”的公司發布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有ＮＡＮＤ型閃存芯片的４倍，存儲數據的速度有可能達到后者的５倍到１０倍。

ＮＡＮＤ型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，ＮＡＮＤ型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在充當閃存的替代品和“接班人”。

該公司介紹說，新技術主要基于帶電離子在特定材料之間的運動來實現信息的存儲，其存儲單元不像閃存需要采用晶體管，因此在存儲密度等方面比閃存更有優勢。

“統一半導體”是一家創業公司，２００２年創立至今共獲得約７５００萬美元風險投資。它計劃于２０１０年下半年試生產容量達６４Ｇ的新型存儲器，并打算２０１１年第二季度將其投入量產。

 一些業內人士認為，新產品能否在價格上真正具有競爭力，將是“統一半導體”需要面對的考驗之一。此前也有公司嘗試推出ＮＡＮＤ型閃存的替代產品，但都未能解決成本過高的問題。