現代半導體（HynixSemiconductor）公司宣稱，日前該公司已獲得PRAM(相變隨機存儲器)技術開發商Ovonyx專利授權，正式加入到由眾多競爭對手組成的PRAM產品研發陣營中來。未來將由Ovonyx向現代半導體提供Ovonyx產品研發相關技術支持。
 
       PRAM內存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫入數據速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現成為可能。
 
       三星電子、IBM、奇夢達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進行PRAM存儲產品的研發。
 
       全球的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產品的生產流程也比NORflash產品簡單許多，三星公司于去年開發出了512MB的PRAM產品，預計早可在2008年實現量產。
 
       此外，IBM與多家內存廠商合作，共同開發出一種新的PRAM產品，其運算速度達到了普通閃存的500倍，而且耗電量減半。這于便攜式產品存儲來說意義重大，因為用戶不必再為自己的電池續航能力擔憂。
 
       IBM表示，目前此技術還停留在原形開發階段，有望在2015年真正實現產品量產、用于消費類產品領域。