在2006年，若干新興的存儲器技術大踏步向著完全規模商業化邁進，雖然它們尚未準備好對在該領域占據支配地位的DRAM或閃存構成挑戰。

       對這些技術成就我們沒有做特別的排名，它們包括飛思卡爾公司的商用4Mb磁阻RAM(MRAM)、三星電子股份有限公司的相變RAM(PRAM)和全息存儲器、InPhase Technologies公司非半導體存儲器技術。這些技術的開發已經歷時多年，由于各種原因，每一種技術都尚未準備就緒以迎接發展的黃金時間。然而，在2006年取得的技術改進可能足以證明：迅速把各自的技術從實驗室推向附近的供應商是有益的。

       飛思卡爾表示，其MRAM器件能夠捕獲所有當今存儲器技術的所有想要的特性。該公司表示，其新器件已經把讀和寫速度平衡到了35ns，類似于DRAM或閃存，并且存儲單元的密度類似DRAM和閃存。然而，飛思卡爾表示，MRAM沒有像DRAM那樣的泄漏問題，并支持像DRAM、SRAM以及非易失性閃存那樣的無限制耐久性約束。

       MRAM作為一種技術已經出現了幾年，但是，由于各種各樣的原因一直沒有實現大量的商業成功，這些原因包括不具備競爭力的每位成本和難以把采用該技術的模塊集成到標準的CMOS工藝器件之中。飛思卡爾的突破在于解決了個問題，它利用術語上稱為“固定(Toggle)”位與一種創新的MRAM單元結構相結合，不需要額外的控制三極管就能夠把單元穩定在“1”或“0”狀態，從而提供了一種化的位元解決方案。通過把MRAM模塊結合到工藝流程的晚期，可以解決工藝集成問題，并小化對標準CMOS邏輯工藝步驟的影響。

       三星公司的512M PRAM值得注目之處在于其密度和功能集—即密度、讀和寫性能及耐久力—使之直接與大批量應用(如移動電話)中的NOR閃存競爭。在過去的幾年中，三星公司一直吹噓64Mb和256Mb器件將成為NOR閃存的殺手—但是市場成效不大。該公司目前聲稱，已經解決了保持存儲器陣列數據所需要的硫化物層的化合物挑戰，并預期快在2008年使主流市場轉向PRAM。

       三星不是關注相變存儲器未來發展潛力的企業，英特爾和ST微電子已經聯合設計和開發了128Mb器件，但是，迄今為止尚位作出產品的發布或預測批量商業化生產的日期。目前來看，相變存儲器的關鍵不在于如何制造它，而在于以引人注目的價格點來制造它，以便取代它的競爭對手NOR閃存。如果相變存儲器不能以合適的價格交付使用，那么，市場認同將進一步延遲。

       全息存儲器的開發也歷時許多年，目前看來能夠作為錄制備份系統的競爭力技術而出現，從而提供廣泛的可歸檔數據性能和極長的數據保持周期。

       這類存儲器利用激光、光檢測器、圖像傳感器和在實現術語上稱為“體記錄” 的專用媒介技術。利用為當今消費級高清晰度DVD刻錄機和高分辨率數字攝像機開發的技術—包括藍和綠激光技術及CMOS圖像傳感器—已經能夠實現全息存儲器的商業化。

       全息存儲器設備至今尚未準備好推向消費市場，而其一次寫入、多次讀出(WORM)的限制和高昂的設備成本對提高其采用率有一定限制。然而，隨著研究工作的深入，全息存儲器可能有成為主流的存儲器。

       InPhase公司的Tapestry 300讀/寫系統目前的報價是18,000美元，在直徑僅僅為5.25英寸的單一媒介光盤上提供了300Gb的數據存儲密度，這種光盤類似于目前標準的DVD光盤并具有稍微高于100美元的報價。5.25英寸光盤的理論密度目標是超過1.6Tb，但是，近來不可能達到那個水平。

       目前來看，所有這三種技術的存儲器都很吸引人，被堅定地確立為有發展前途的領域。在這些技術開始邁向商業化之前，要持續改善收入物化和采用率，目標市場將來的發展尚拭目以待。

       來源：電子工程專輯