瑞薩科技(Renesas Technology)與嵌入式存儲器知識產權廠商Emerging Memory Technologies(EMT)日前宣布，瑞薩已將無電容器雙的晶體管RAM(TTRAM)技術授權給EMT。EMT將開發并將基于TTRAM技術的存儲器知識產權擴展到新興的硅絕緣體(SOI)CMOS市場。瑞薩作為主流嵌入式SOI存儲器知識產權技術的TTRAM技術也將得到擴展。瑞薩的TTRAM技術可在標準SOI-CMOS技術條件下實現動態的存儲單元結構。這個存儲單元僅由兩個串行連接的晶體管組成，而且無需使用傳統存儲單元中的金屬絕緣層金屬電容器。它也無需采用用于電容器特殊掩模組的派生CMOS工藝，而且可以簡化片上參考電壓源。其存儲單元結構在65nm或更高工藝技術條件下仍然可以實現。瑞薩科技系統核心技術部副總經理Kazutami Arimoto博士表示：“用戶需要大存儲容量的解決方案，同時又不想在面積、性能和功耗方面做出設計妥協。在EMT被授權基于存儲器知識產權的TTRAM技術之后，嵌入存儲器用戶將很快能夠受益于大存儲容量、經濟有效的解決方案，而這在從前只能采用傳統的CMOS工藝實現。我們希望，通過將我們的TTRAM技術與EMT優異的存儲器編譯技術結合在一起，進一步促進SOI存儲器應用的增長。”

        EMT公司總裁和首席執行官Sreedhar Natarajan表示：“SOI CMOS正在從高性能微處理器領域擴展到廣闊的CMOS半導體市場。我們認為，存儲器設計能力與瑞薩的SOI無電容器TTRAM技術的結合，將有助于創造出一種采用SOI CMOS的新型半導體解決方案。”

       據介紹，通過在TTRAM技術方面的合作，兩家公司將為他們的用戶提供一種大存儲容量的存儲器解決方案，并對存儲器知識產權技術的開發做出貢獻。 相關內容 新品縱橫 ? 瑞薩新型汽車音響電源IC損耗降低70% (2005-11-30)