力晶布局高階快閃記憶體再傳捷報，與瑞薩半導(dǎo)體的快閃記憶體授權(quán)關(guān)系，將從１ＧＢ擴(kuò)展到４ＧＢ，同時代工合約也同步放大。
      力晶宣布正式進(jìn)軍主流快閃記憶體市場，繼年初獲得日商瑞薩半導(dǎo)體１ＧＢ的快閃記憶體制造授權(quán)， 隨著插卡式手機(jī)數(shù)位相機(jī)等擴(kuò)充記憶體的強(qiáng)烈需求 雙方達(dá)成技轉(zhuǎn)合作協(xié)議，力晶加碼資本支出至700億元搶攻快閃記憶體商機(jī) 力晶半導(dǎo)體與日商瑞薩科技（Renesas）六月一日宣布，簽訂4Gb AG-AND快閃記憶 體技轉(zhuǎn)和產(chǎn)銷合作協(xié)議。
      力晶并決定將今年度資本支出加碼到新臺幣七百億元，擴(kuò)大旗下12M廠的裝機(jī)規(guī)模，與盟友瑞薩攜手拓展全球商機(jī)。
      這項(xiàng)新協(xié)議是延續(xù)力晶與瑞薩雙方在今年一月所達(dá)成的1Gb AG-AND快閃記憶體合 作，進(jìn)一步將產(chǎn)品線擴(kuò)展至更高容量的4Gb機(jī)種。
      透過這項(xiàng)新合約，力晶半導(dǎo)體將 可全力投入高容量快閃記憶體市場，爭取快速成長中的龐大商機(jī)；而瑞薩科技則將 獲得力晶旗下十二寸晶圓廠的高效率產(chǎn)能支援，強(qiáng)化該公司對既有快閃記憶體產(chǎn)品 客戶的服務(wù)。
      力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁博士指出，鑒于快閃記憶體市場需求快速成長，包括三 星、美光在內(nèi)的全球主要DRAM大廠均已大舉投入，為避免我國記憶體產(chǎn)業(yè)在此新興 領(lǐng)域缺席，力晶決定導(dǎo)入瑞薩的先進(jìn)技術(shù)，結(jié)合力晶的高效率量產(chǎn)優(yōu)勢，共同開拓 商機(jī)。
      同時，因應(yīng)快閃記憶體的量產(chǎn)布局，力晶決定將今年度資本支出（CAPEX） 由原先的新臺幣六百億元增加到七百億元，以加速該公司十二寸晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)增， 因應(yīng)高容量快閃記憶體與DRAM市場成長的需求。
      力晶于今年一月斥資逾新臺幣五十億元，向旺宏電子購入十二寸晶圓廠房并命名為 12M廠。
      針對12M廠的裝機(jī)進(jìn)度，該公司總經(jīng)理謝再居博士透露，力晶現(xiàn)正加緊安裝 12M廠的自動化生產(chǎn)控制系統(tǒng)，并催促設(shè)備供應(yīng)商縮短機(jī)臺交貨時程，預(yù)計自今年 第四季新廠開始量產(chǎn)快閃記憶體，新增的資本支出將可使12M廠的產(chǎn)能在今年底拉 升到每月二萬片，搭配力晶既有的12A、12B廠每月八萬五千片產(chǎn)能，將可迅速建構(gòu) 快閃記憶體與DRAM兩大產(chǎn)品線的量產(chǎn)經(jīng)濟(jì)規(guī)模。