NOR閃存正面臨多種新興內存技術的挑戰，除NAND閃存外，相變內存(PCM)也正苦苦追趕。中國臺灣地區工研院IEK分析師陳俊儒日前表示，“快在2011年，PCM的價格就會趕上NOR閃存，屆時DDR迅速取代DRAM的歷史可能會在這兩種內存上重演，而主要應用領域將集中在通信市場，例如手機。” 
       陳俊儒引述國際半導體技術藍圖(ITRS)的2006年預估數據指出，就單元尺寸來看，PCM將在2011年追上NOR閃存，屆時將有機會出現大量取代的局面。但他也指出，就單元尺寸微縮進度來看，PCM仍無法取代NAND閃存市場，除非NAND的微縮技術面臨極限。 
       不過，這仍為PCM刻畫了良好前景。陳俊儒說：“從單元尺寸的微縮情況看，2005年PCM、NOR與NAND的單元尺寸分別為0.1400um2、0.06402與0.02312；但預計在2020年，它們的單元尺寸將分別微縮到0.00112、0.00262與0.00072。” 
       單元尺寸與芯片制造成本是影響內存每位成本的兩大關鍵要素，PCM大幅減小單元尺寸后，將更具備取代NOR閃存的優勢。據市調公司Gartner今年季發布資料，2005年NOR閃存營收約72億美元，其中71.1%集中在通信應用。而隨著可攜式通信市場發展，對此類內存的需求將持續擴大。 
       另外，IC Insights也預估，到2010年，手機對內建內存的需求量將從2005年的256Mb躍升到1Gb以上，而因應影音數據的應用，對數據寫入/讀取速率的需求也將從現有的64~144Kbps提升到高于10Mbps。這意味著手機對內存的容量及效能需求愈來愈嚴苛。在可預見的未來，閃存的微縮瓶頸已然浮現，這為新興內存技術挑戰市場提供了新的機會。 
       “目前開發PCM的廠商中，以Ovnyx技術領導地位，在美國所獲取的專利數也多，”陳俊儒表示。但三星(Samsung)也不容忽視，去年該公司發布了256Mb的PCM，“若以三星現已占據全球DRAM、SRAM與NAND閃存供貨商排名情況來看，若該公司挑戰PCM市場成功，則將囊括所有主流內存市場。” 
       而面對大廠以核心技術及專利布局PCM市場態勢，陳俊儒指出，中國臺灣地區廠商開發Stand-alone PCM將遭遇極大挑戰，因此，他建議應更著重在嵌入式PCM領域，以設計簡單、非揮發性及大容量的嵌入式PCM切入通信市場；另外，中國臺灣地區廠商也應著重于申請新組件架構專利，并以尋求和技術廠商相互技術授權的策略布局市場，以避免專利沖突風險，并降低進入PCM市場的困難度。
作者：鄧榮惠 / 電子工程專輯